[发明专利]一种紫外LED器件在审

专利信息
申请号: 201710348313.X 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN106935695A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 何苗;黄波;周俊楠;王志成;王成民 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 紫外 led 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及紫外LED领域,特别是涉及一种紫外LED器件。

背景技术

紫外LED是LED的一种,其具备超长寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀效率高以及不含有毒物物质等优点,使得其在医疗、杀菌、印刷、照明、数据存储以及保密通信等方面都有较大的应用价值。

随着LED波长变短,辐射能量变强,使得传统的有机封装材料的耐紫外性能急剧下降,进而导致紫外LED的寿命较短,稳定性较低。且紫外LED辐射的高能量会产生大量的热量,而传统的封装方式无法满足散热需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种紫外LED器件,目的在于解决现有技术中紫外LED器件散热性差导致的寿命短以及可靠性低的问题。

为解决上述技术问题,本发明提供一种紫外LED器件,该器件包括:

陶瓷基座;设置于所述陶瓷基座的凹槽;设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构;安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板;共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片,其中,所述紫外LED芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层导热导电性能良好的金属层,以实现所述紫外LED芯片的共晶倒装焊接。

可选地,所述金属层包括镀于所述紫外LED芯片的正负极处的第一金属层、镀于所述凹槽底面处的第二金属层以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第三金属层。

可选地,所述第一金属层以及所述第二金属层均为金膜层,所述第三金属层为锡膜层。

可选地,所述第一金属层的厚度为7-10um,所述第二金属层的厚度为3-5um,所述第三金属层为4-5um。

可选地,所述凹槽包括与水平面成预设角度的环形坡面。

可选地,所述紫外LED器件还包括填充于所述凹槽与所述石英玻璃盖板形成的密闭空间的保护性气体。

可选地,所述保护性气体为惰性气体或氮气。

可选地,所述台形阶梯结构与所述石英玻璃盖板之间的粘结剂为无机粘结剂。

可选地,所述无机粘结剂为碱金属硅酸盐粘合剂、磷酸盐系统粘合剂以及磷酸氧化物系统粘合剂中的任意一种。

可选地,所述陶瓷基座为氧化铝陶瓷基座或氮化铝陶瓷基座。

本发明所提供的一种紫外LED器件,该器件包括陶瓷基座;设置于所述陶瓷基座的凹槽;设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构;安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板;共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片,其中,所述紫外LED芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层导热导电性能良好的金属层,以实现所述紫外LED芯片的共晶倒装焊接。本申请通过导电导热性能良好的金属,将紫外LED芯片共晶倒装焊接于紫外LED器件内,避免了传统的固晶有机胶的使用;且在保证紫外LED芯片电气连接的同时,能将热量传导至陶瓷基座,增加了器件的导热性能,从而提高器件的稳定性和寿命。可见,本申请有利于提高紫外LED器件的散热性能。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的紫外LED器件的结构示意图;

图2为本发明实施例所提供的LED芯片共晶方式的一种具体实施方式的结构示意图;

图3为本发明实施例所提供的陶瓷基板的开槽方式结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参见图1,图1为本发明实施例所提供的紫外LED器件的结构示意图,该器件包括陶瓷基座11;设置于所述陶瓷基座的凹槽12;设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构13;安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板14;共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片15,其中,所述紫外LED芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层导热导电性能良好的金属层,以实现所述紫外LED芯片的共晶倒装焊接。

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