[发明专利]制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板

权利要求书

1.一种制备配向膜的系统，其特征在于，包括：

刻蚀装置，所述刻蚀装置中限定出样品容纳空间；

模板装置，所述模板装置包括刻蚀模板，所述刻蚀模板与所述刻蚀装置相对设置；以及

等离子体装置，所述等离子体装置设置在所述模板装置远离所述刻蚀装置的一侧，所述等离子体装置被设置为能够产生等离子体，且所述等离子体能够通过所述刻蚀模板，作用于所述样品容纳空间中的待刻蚀样品。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述等离子体装置进一步包括：

等离子体发生单元，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置；

气体介质单元，所述气体介质单元向所述等离子体发生单元供给气体介质。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：

对位装置，所述对位装置与所述模板装置相连，用于基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述刻蚀模板上具有刻蚀区以及遮挡区，所述刻蚀区环绕所述遮挡区设置，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米。

5.一种制备配向膜的方法，其特征在于，包括：

通过等离子体装置产生等离子体，利用所述等离子体，基于所述模板装置的刻蚀模板，对刻蚀装置中的待刻蚀样品进行刻蚀处理，以便获得所述配向膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子体装置为气体电解等离子体装置。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在进行所述刻蚀处理之前，进一步包括：

利用对位装置，基于所述待刻蚀样品的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，

所述对位处理是通过以下步骤实现的：

所述待刻蚀样品包括衬底以及待刻蚀配向膜，所述待刻蚀配向膜设置在所述衬底上，所述待刻蚀配向膜包括显示区以及待刻蚀区，所述待刻蚀区环绕所述显示区设置，所述遮挡区的面积大于所述显示区的面积，基于所述显示区的位置，对所述刻蚀模板进行对位处理，使所述遮挡区的边缘在所述衬底上的投影，与所述显示区的边缘之间的距离为0.15-0.3mm。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀区是由网状模板构成的，所述网状模板的网丝直径为10-20微米，所述方法进一步包括：

通过调节所述网丝直径，控制所述刻蚀处理的刻蚀速率。

9.一种基板，其特征在于，包括：

衬底；

配向膜，所述配向膜设置在所述衬底上，所述配向膜是由权利要求1-4任一项所述的系统制备的。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板，所述彩膜基板上设置有第一配向膜；

阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板上设置有第二配向膜；

液晶层，所述液晶层设置在所述第一配向膜以及所述第二配向膜之间，

其中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜的至少之一是由权利要求1-4任一项所述的系统制备的。