[发明专利]一种交流信号生成电路和生成方法

权利要求书

1.一种交流信号生成电路，其特征在于，包括直流电源电路、MCU控制电路、DC-DC升压变换电路和全桥逆变电路，所述直流电源电路的输出端分别与DC-DC升压变换电路的电源输入端、MCU控制电路的电源输入端连接；所述MCU控制电路的SPWM信号输出端与DC-DC升压变换电路的控制端连接；所述DC-DC升压变换电路的输出端与全桥逆变电路的输入端连接；所述MCU控制电路的PWM信号输出端与全桥逆变电路的控制端连接；所述全桥逆变电路的输出端作为交流信号生成电路的输出端输出正弦全波交流信号。

2.根据权利要求1所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述DC-DC升压变换电路包括DC-DC升压变换芯片、升压变压器、第一电压调节电阻和第二电压调节电阻，所述直流电源电路的输出端分别与DC-DC升压变换芯片的电源端、升压变压器的第一输入端连接；所述DC-DC升压变换芯片的控制端为DC-DC升压变换电路的控制端，所述MCU控制电路的SPWM信号输出端与DC-DC升压变换芯片的控制端连接；所述DC-DC升压变换芯片的第一输出端与升压变压器的第二输入端连接，所述升压变压器的第一输出端与第二电压调节电阻的一端连接，所述升压变压器的第二输入端与第二输出端连接；所述第二电压调节电阻的一端与全桥逆变电路的输入端连接；所述第二电压调节电阻的另一端与第一电压调节电阻的一端连接；所述第一电压调节电阻的另一端与DC-DC升压变换芯片的第二输出端连接；所述第一电压调节电阻的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述全桥逆变电路包括第一光耦、第二光耦、第一开关管、第二开关管、第一电容；所述第一光耦的第一输入端、第二光耦的第一输入端、第一开关管的控制端、第二开关管的控制端为全桥逆变电路的控制端，所述MCU控制电路的PWM信号输出端分别与第一光耦的第一输入端、第二光耦的第一输入端、第一开关管的控制端、第二开关管的控制端连接；所述第一光耦的第二输入端、第二光耦的第二输入端接地；所述DC-DC升压变换电路的输出端与第一光耦的第一输出端、第二光耦的第一输出端连接；所述第一光耦的第二输出端与第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与第二光耦的第二输出端连接；所述第一光耦的第二输出端与第一开关管的正输出端连接；所述第一开关管的负输出端接地；所述第二光耦的第二输出端与第二开关管的正输出端连接；所述第二开关管的负输出端接地；所述第一开关管的正输出端、第二开关管的正输出端分别作为全桥逆变电路的输出端。

4.根据权利要求1至3任一项所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述交流信号生成电路还包括LC滤波电路，所述全桥逆变电路的输出端与LC滤波电路的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述MCU控制电路包括STM8S003F3型号的单片机及其外围电路。

6.根据权利要求2所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述DC-DC升压变换芯片包括ETA1617型号的DC-DC升压变换芯片。

7.根据权利要求2或6所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述升压变压器为自抽头变压器。

8.根据权利要求3所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述第一开关管、第二开关管为NMOS管，所述NMOS管的栅极为开关管的控制端，所述NMOS管的漏极为开关管的正输出端，所述NMOS管的源极为开关管的负输出端。

9.根据权利要求4所述的交流信号生成电路，其特征在于，所述LC滤波电路包括第一电感和第二电容，所述全桥逆变电路的输出端与第一电感的一端连接，所述第一电感的另一端与第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端与全桥逆变电路的输出端连接，所述第二电容的两端作为交流信号生成电路的输出端。

10.一种交流信号生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

MCU控制电路输入SPWM信号至DC-DC升压变换电路以控制其生成正弦半波信号；

MCU控制电路输入PWM信号至全桥逆变电路以控制其将所述正弦半波信号转换成正弦全波交流信号。