[发明专利]一种可重构的均衡电路结构与控制方法在审

专利信息
申请号: 201710349643.0 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN107221718A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 徐俊;王霄;梅雪松 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01M10/42 分类号: H01M10/42;H02J7/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 王霞
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 可重构 均衡 电路 结构 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种可重构的均衡电路结构,其特征在于,由电池组与电池组熔断丝Fs串联构成;其中,电池组包括n个串联的电池模块BMi

所述电池模块BMi包括电池单体Bi、熔断丝Fi、N沟道MOSFETMi和驱动电路Di;电池单体Bi和熔断丝Fi串联,电池单体Bi和熔断丝Fi的两端分别与N沟道MOSFETMi的漏极和源极相连,N沟道MOSFETMi的栅极与驱动电路Di相连,形成环路。

2.根据权利要求1所述的可重构的均衡电路结构,其特征在于,所述驱动电路Di由电阻电容过滤器和PWM驱动的光电耦合器组成,PWM与光电耦合器的输入端相连,光电耦合器输出端的一端与电阻电容过滤器串联后接入N沟道MOSFETMi的栅极,光电耦合器输出端的另一端接入N沟道MOSFETMi的源极。

3.根据权利要求1所述的可重构的均衡电路结构,其特征在于,熔断丝Fi的额定电流大于电池组熔断丝Fs的额定电流。

4.一种基于权利要求1~3中任意一项所述的可重构的均衡电路结构进行均衡和重构的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)系统初始化,使N沟道MOSFETMi处于不导通状态即OFF状态,所有电池模块BMi处于正常模式,所有电池单体Bi串联连接组成电池组,不需均衡和重构;

2)若有电池单体Bi需要均衡,使N沟道MOSFETMi工作在放大区,此时N沟道MOSFETMi处于PWM状态,等效于一个开关和一个电阻的串联,对应的熔断丝Fi等效于一个导体,电池单体Bi通过电阻消耗储存的能量,实现单个电池单体Bi的均衡;

若没有电池单体Bi需要均衡,则判断是否有电池单体Bi需要重构,

3)若有电池单体Bi需要重构,使N沟道MOSFETMi处于导通状态即ON状态,等效于一个开关,电池单体Bi被电池组旁路,实现电池单体Bi重构;

若没有电池单体Bi需要重构,则回到步骤2);

4)重复执行步骤2)和3),直至完成对电池组中所有电池单体Bi的均衡和重构。

5.根据权利要求4所述的均衡和重构的方法,其特征在于,其特征在于,步骤1)、2)、3)中,N沟道MOSFETMi所处的工作状态,均是通过调节驱动电路Di PWM占空比大小和电阻电容过滤器的滤波作用来控制施加到N沟道MOSFETMi的直流信号实现。

6.根据权利要求5所述的均衡和重构的方法,其特征在于,当一个电池单体Bi需要均衡时,使N沟道MOSFETMi工作在放大区,此时,N沟道MOSFETMi处于PWM状态,等效于一个开关和一个电阻的串联,对应的熔断丝Fi等效于一个导体,电池单体Bi储存的能量会通过电阻消耗,实现单个电池单体的均衡。

7.根据权利要求5所述的均衡和重构的方法,其特征在于,当不止一个电池单体Bi需要均衡时,每个需要均衡的电池单体Bi对应的MOSFETMi均工作在放大区,处于PWM状态,分别等效于一个开关和一个电阻的串联,多个电池单体Bi通过电阻消耗能量,互不干扰,实现多个电池单体的均衡。

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