[发明专利]具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法

权利要求书

1.一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，其特征在于：包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块（1）和八个矩形梁（2），所述质量块（1）上部边缘四边通过矩形梁（2）与基片一体连接，即质量块（1）右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙（6）；

八个矩形梁的每个梁上分布有两个压敏电阻（3），每个压敏电阻（3）的两端分别通过金属引线（4）与位于基片边缘的相应焊盘（5）连接；

所述基片底面和顶面均键合有盖板，所述质量块和盖板之间留有抗过载间隙；

压敏电阻在八个矩形梁上的分布如下：

所述梁L1的内端设有压敏电阻X4、其外端设有压敏电阻H3，

所述梁L2的内端设有压敏电阻Z1、其外端设有压敏电阻X2，

所述梁L3的内端设有压敏电阻Y4、其外端设有压敏电阻Z3，

所述梁L4的内端设有压敏电阻H1、其外端设有压敏电阻Y2，

所述梁L5的内端设有压敏电阻H4、其外端设有压敏电阻X1，

所述梁L6的内端设有压敏电阻X3、其外端设有压敏电阻Z2，

所述梁L7的内端设有压敏电阻Z4、其外端设有压敏电阻Y1，

所述梁L8的内端设有压敏电阻Y3、其外端设有压敏电阻H3；

其中，压敏电阻X1、X2、X3、X4组成检测笛卡尔坐标系中X方向加速度的惠斯通电桥；

压敏电阻标Y1、Y2、Y3、Y4组成检测笛卡尔坐标系中Y方向加速度的惠斯通电桥；

压敏电阻Z1、Z2、Z3、Z4和压敏电阻H1、H2、H3、H4组成检测笛卡尔坐标系中Z方向加速度的惠斯通电桥，即压敏电阻Z1和H1构成电桥的一个臂，压敏电阻Z2和H2构成电桥的一个臂，压敏电阻Z3和H3构成电桥的一个臂，压敏电阻Z4和H4构成电桥的一个臂。

2.一种权利要求1所述的具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

a)、对SOI片进行氧化并刻蚀SOI片device层有源区域中的氧化硅；

b)、刻蚀SOI片的handle层中有源区域的氧化硅；

c）、从SOI片的背面刻蚀硅到埋氧层形成质量块的位移空间；

d)、刻蚀掉一定厚度的质量块；

e)、从SOI片的背面刻蚀质量块位移空间中SOI的埋氧层；

f)、将SOI片与硅片进行硅硅键合；

g)、从SOI片的正面进行离子注入得到压敏电阻；

h)、从SOI的正面进行离子注入形成欧姆接触区域；

i)、对SOI片进行氧化，形成金属引线与device层之的绝缘层；

j)、刻蚀出引线接触孔；

k)、对SOI片正面溅射金属并图形化得到引线和焊盘；

l)、从SOI片正面刻蚀硅释放梁；

m)、SOI片正面键合一已刻蚀出质量块位移空间的玻璃板。