[发明专利]一种优化掩模版图的方法

说明书

本发明提供一种优化掩模版图的方法，包括步骤S1：提供已布局的芯片设计图形的掩模版图，掩模版图包括第一主图形以及布设在第一主图形周围的多个第一亚分辨率辅助图形，还包括第二主图形以及布设在第二主图形周围的多个第二亚分辨率辅助图形，所述第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形定义一冲突区域；步骤S2：在掩模版图上截取所述冲突区域，并获取该冲突区域的透光率分布灰度图，根据透光率分布灰度图的灰度值统计量大小为该冲突区域内的亚分辨率辅助图形设定优先级；步骤S3：去除优先级低的亚分辨率辅助图形，获取优化后的掩模版图。本发明可以有效的补充主图形周围的空间频率。

【技术领域】

本发明涉及光刻分辨率增强技术领域，尤其涉及一种优化掩模版图的方法。

【背景技术】

随着芯片制造技术节点的不断缩小，掩模版上密集线条与稀疏线条的工艺窗口差异显得越来越明显，稀疏线条的工艺窗口较小，会很大程度上制约整个掩模版的光刻工艺窗口。

为了解决上述问题，可以在掩模版所对应的掩膜版图的稀疏图形的周围添加亚分辨率辅助图形(Sub Resolution Assist Features，SRAF)，也称之为散射条 (ScatteringBar，SB)，让其显得更密集，同时也能够补充主图形周围的空间频率。放置散射条最关键的是尽可能的增大工艺窗口，但要保证曝光后不会转移到光刻胶上。

SRAF通常在接触层(Contact Layer)以及金属层 (Metal layer)的稀疏图形周围以散射条的形式插入，用以保证整个芯片的分辨率和光刻工艺窗口的一致。

一般，有两种方式插入辅助图形，分别是基于模型的SRAF(MB-SRAF)以及基于规则的SRAF (RB-SRAF)。

MB-SRAF依据严格的光学模型，通过计算在图形周围插入散射条。该方法耗时过长，不利于芯片的生产制造。

RB-SRAF，则是根据主图形或目标图形的位置设定一系列规则，按照规则放置SRAF，其有效性和覆盖率会较多的依赖于工程师的对工艺的认知及经验。该方法覆盖率低，对于相对复杂的图形分布往往不能很好适用，但具有耗时短的优点。

为稀疏的图形添加SRAF是分辨率增强技术 (Resolution EnhancementTechnique，RET)的重要方法。尤其是到了45nm节点以下的工艺，有效放置SRAF 能增大工艺窗口，提高图形的分辨率。

SRAF必须放置在主图形或目标图形周围一定的位置才能充分有效，SRAF的宽度、SRAF与主图形或目标图形的距离以及相邻SRAF之间的距离，这些参数都是决定SRAF有效性以及芯片的可制造性的关键参数。在实际生产中，通常是先设计一部分有代表性的测试图形(Test Pattern)，利用MB-SRAF或者反演光刻为这部分图形添加散射条，然后结合模型或者反演光刻的结果总结出一套规则，这些规则被应用于大规模生产中。这样就将两种方法相结合，使SRAF具有相当的准确性，也很大程度上减少了时间上的损耗。然而，RB-SRAF方法本身还有优化的空间，例如，两个主图形距离很近，为它们添加的SRAF很可相互重合或者距离过近，对掩模的制造造成困难，因此还需要在添加完SRAF之后对其进行清理，以保证最终没有冲突的存在。

对于RB-SRAF，在放置时，要为其设定优先级，这样就能按照优先级决定SRAF的放置顺序，以及当两个SRAF相互冲突时，能依据优先级进行取舍。

现有的技术中掩模版图内的亚分别率辅助图形 (SRAF)的优先级是根据其面积大小以及距离主图形的位置来设置的。这样就不可避免的会让面积较小，但能有效补充主图形周围的空间频率、增大工艺窗口的SRAF被舍弃，这样会造成芯片制造的工艺窗口变小，生产良率降低。

【发明内容】

为克服现有技术存在的技术问题，本发明提供一种优化掩模版图的方法。