[发明专利]在集成电路中形成至少一个电中断的方法及相应集成电路

权利要求书

1.一种用于在集成电路中形成至少一个电中断的方法，所述方法包括在半导体衬底(SB)上方制造大量导电焊盘，所述大量导电焊盘分别位于所述集成电路的部件区与所述集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区(RIS2)中，所述大量焊盘包括与相应的第一部件区(Z1)电接触的第一焊盘(PLT1)以及不与相应的第二部件区(Z2)电接触的至少一个第二焊盘(PLT2)，以形成所述至少一个电中断。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制造包括

-初始地制造包封在所述绝缘区(RIS2)中的所述第一焊盘(PLT1)，

-在所述至少一个第二焊盘(PLT2)的位置处局部蚀刻所述绝缘区(RIS2)，以形成引至所述相应第二部件区(Z2)的至少一个孔口(OR1)，

-用具有与所述绝缘区的一部分(CS2)的构成完全相同的构成的绝缘层(CS3)对所述至少一个孔口(OR1)的内壁以及所述第二部件区(Z2)加衬，以及

-用具有与所述第一焊盘(PLT1)的构成完全相同的构成的填充材料来填充所述至少一个有内衬的孔口(OR2)，以形成所述至少一个第二焊盘(PLT2)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述局部蚀刻和所述加衬被配置成用于完成所述至少一个有内衬的孔口(OR2)，从而使得其孔径大小在对其进行填充后引至所述至少一个第二焊盘(PLT2)，所述至少一个第二焊盘的横截面的大小类似于每个第一焊盘(PLT1)的横截面大小。

4.根据以上权利要求之一所述的方法，其中，所述至少一个第二部件区(Z2)包括晶体管(TR0)的有源区。

5.一种集成电路，包括在半导体衬底(SB)上方的大量导电焊盘，所述大量导电焊盘分别位于所述集成电路的部件区与所述集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区(RIS2)中，所述大量焊盘包括与相应第一部件区(Z1)电接触的第一焊盘(PLT1)以及不与相应第二部件区(Z2)电接触的至少一个第二焊盘，以形成至少一个电中断。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述至少一个第二焊盘(PLT2)完全嵌入在所述绝缘区(RIS2)中，所述绝缘区的一部分(CS3)位于所述至少一个第二部件区(Z2)与所述至少一个第二焊盘(PLT2)的底端之间。

7.根据权利要求5或6所述的集成电路，其中，所述至少一个第二焊盘(PLT2)的横截面大小类似于每个第一焊盘(PLT1)的横截面大小。

8.根据权利要求5至7之一所述的集成电路，其中，所述至少一个第二部件区(Z2)包括晶体管(TR0)的有源区。

9.一种物体，包含根据权利要求5至8之一所述的集成电路(IC2)。

10.根据权利要求9所述的物体，形成芯片卡(CP)。