[发明专利]半导体装置结构的制造方法及半导体装置结构

说明书

本公开提供了半导体装置结构的制造方法。此半导体装置结构的制造方法包括形成一栅极结构于一半导体基板上，形成多个间隔构件邻接上述栅极结构的侧壁，形成一保护材料层于上述栅极结构上。上述形成上述保护材料层的步骤包括非等离子体步骤。此半导体装置结构的制造方法还包括沉积一介电材料层于上述保护材料层上。上述沉积上述介电材料层的沉积步骤包括等离子体步骤。

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置结构的制造方法，且特别涉及具有栅极结构的半导体装置结构的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历快速成长。集成电路材料与设计上的技术演进已开创集成电路的世代。每一世代相较于前一世代，具有更小且更复杂的电路。

在集成电路的演变过程中，通常功能性密度(即，每晶片面积所具有的内连元件数)已随着几何尺寸(即，使用工艺所能制作的最小元件尺寸(或线宽))的缩减而增加。此缩小化工艺一般借着增加制作效率及降低相关成本而获益。

然而，这些演进已增加处理与制造集成电路的复杂度。由于特征尺寸(featuresize)持续缩减，工艺亦持续变得更难以进行。因此，如何形成具有越来越小的特征尺寸且可靠半导体元件，正面临着挑战。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种半导体装置结构的制造方法。此半导体装置结构的制造方法包括形成一栅极结构于一半导体基板上，形成多个间隔构件邻接上述栅极结构的侧壁，形成一保护材料层于上述栅极结构上。上述形成上述保护材料层的步骤包括非等离子体步骤。此半导体装置结构的制造方法还包括沉积一介电材料层于上述保护材料层上。上述沉积上述介电材料层的沉积步骤包括等离子体步骤。

为让本公开实施例的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A-图1F是本公开一些实施例的半导体装置结构在其制造方法中各阶段的剖面图。

图2A-图2E是本公开一些实施例的半导体装置结构在其制造方法中各阶段的剖面图。

图3A-图3F是本公开一些实施例的半导体装置结构在其制造方法中各阶段的剖面图。

图4A-图4B是本公开一些实施例的半导体装置结构在其制造方法中各阶段的剖面图。

图5A-图5D是本公开一些实施例的半导体装置结构在其制造方法中各阶段的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

100 半导体装置结构；

102 半导体基板；

104A 间隔构件；

104B 间隔构件；

104C 间隔构件；

104D 间隔构件；

106A 栅极结构；

106B 栅极结构；

108A 开口；

108B 开口；

110A 凹口；

110B 凹口；

112A 栅极介电层；

112B 栅极介电层；

114A 功函数层；

114B 功函数层；

116A 功函数层；

116B 功函数层；