[发明专利]一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法有效
| 申请号： | 201710352038.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107069423B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;唐吉龙;方铉;王新伟;楚学影;王登魁;王菲;冯源;张晶;王晓华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 制备 方法 | ||
1.一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法，包括：
对垂直腔面发射半导体激光器外延片进行器件制备工艺；
通过化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜层制备在铜箔上；
采用有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P-DBR侧的外表面；以及在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线；
其中，将石墨烯薄膜层制备在铜箔上包括：将铜箔装载入CVD仪器石英管中，打开机械泵使得腔体的压强达到50mTorr；给腔体充气，氢气(H2)为60sccm，输运气体氩气(Ar)为150sccm，整个腔体的压强保持在30Torr；设定程序并启动，升温速率控制在20℃/min，将温度从室温升至600℃，然后将铜箔推送至目标生长区域，并给铜箔迅速加热至880℃-900℃；在880℃-900℃条件下维持氢气为70sccm，氩气为200sccm气氛环境，使铜箔退火20min-30min；通入碳源CH4，流量为35sccm，生长压强为500mTorr，在催化剂催化作用下进行石墨烯薄膜层的生长，生长时间5min-10min；最后，维持氢气为70sccm，氩气为200sccm气氛环境，使铜箔缓慢降温至室温。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：所述石墨烯薄膜层作为垂直腔面发射半导体激光器的P型和N型电极；其中，所述石墨烯薄膜层可以为单层石墨烯材料或多层石墨烯材料，所述石墨烯薄膜层对激光器有源区发射的光子不存在吸收。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710352038.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
