[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710352139.6 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107123688B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；
与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；
电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
所述氧化物半导体膜上的第一氧化物绝缘膜；
所述第一氧化物绝缘膜上的第一氮化物绝缘膜；
所述第一氮化物绝缘膜上且与所述第一氮化物绝缘膜接触的有机绝缘膜；以及
所述有机绝缘膜上且与所述有机绝缘膜接触的第二氮化物绝缘膜，
其中，所述栅极绝缘膜包括氮化硅，且
其中，所述第二氮化物绝缘膜与所述第一氮化物绝缘膜接触。
2.一种半导体装置，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；
与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；
电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
所述氧化物半导体膜上的第一氧化物绝缘膜；
所述第一氧化物绝缘膜上的第一氮化物绝缘膜；
所述第一氮化物绝缘膜上且与所述第一氮化物绝缘膜接触的有机绝缘膜；以及
所述有机绝缘膜上且与所述有机绝缘膜接触的第二氮化物绝缘膜，
其中，所述栅极绝缘膜包括氮化硅，
其中，所述第二氮化物绝缘膜与所述第一氮化物绝缘膜接触，且
其中，所述第一氧化物绝缘膜和所述第一氮化物绝缘膜中的每一个都包括硅。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一氧化物绝缘膜包括氧化硅。
4.一种半导体装置，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；
与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；
电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
所述氧化物半导体膜上的第一氧化物绝缘膜；
所述第一氧化物绝缘膜上的第一氮化物绝缘膜；
所述第一氮化物绝缘膜上且与所述第一氮化物绝缘膜接触的有机绝缘膜；以及
所述有机绝缘膜上且与所述有机绝缘膜接触的第二氮化物绝缘膜，且
其中，所述第二氮化物绝缘膜与所述第一氮化物绝缘膜接触。
5.一种半导体装置，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；
与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；
电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
所述氧化物半导体膜上的第一氧化物绝缘膜；
所述第一氧化物绝缘膜上的第一氮化物绝缘膜；
所述第一氮化物绝缘膜上且与所述第一氮化物绝缘膜接触的有机绝缘膜；以及
所述有机绝缘膜上且与所述有机绝缘膜接触的第二氮化物绝缘膜，
其中，所述第二氮化物绝缘膜与所述第一氮化物绝缘膜接触，且
其中，所述第一氧化物绝缘膜和所述第一氮化物绝缘膜中的每一个都包括硅。
6.一种半导体装置，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；
与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；
电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
所述氧化物半导体膜上且与所述氧化物半导体膜接触的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上且与所述第一绝缘膜接触的第二绝缘膜；
所述第二绝缘膜上且与所述第二绝缘膜接触的第三绝缘膜；以及
所述第三绝缘膜上且与所述第三绝缘膜接触的第四绝缘膜，
其中，所述第一绝缘膜是具有比所述第二绝缘膜低的缺陷密度的氧化物绝缘膜，且
其中，在25℃用0.5wt％的氢氟酸对所述第三绝缘膜进行蚀刻的蚀刻速度低于或等于10nm/min且低于所述第二绝缘膜的蚀刻速度。
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