[发明专利]曝光掩模、曝光设备和用于校准曝光设备的方法

权利要求书

1.一种光刻掩模（100），其具有：

·载体（102）；

·在所述载体（102）的第一结构级（101a）中的第一光刻曝光结构（104a）；和

·在所述载体（102）的第二结构级（101b）中的第二光刻曝光结构（104b），

·其中，这两个结构级（101a，101b）彼此是不同的，并且

其中，所述第一光刻曝光结构（104a）具有对聚焦敏感的第一图案，并且其中，所述第二光刻曝光结构（104b）具有对聚焦敏感的第二图案，其中这两个对聚焦敏感的图案是相同的。

2.根据权利要求1所述的光刻掩模，

其中，所述载体（102）具有平整的表面（102o），并且其中，所述第一结构级（101a）平行于所述平整的表面（102o）。

3.根据权利要求1或者2所述的光刻掩模，

其中，所述第二结构级（101b）与所述第一结构级（101a）成一角度。

4.根据权利要求1或者2所述的光刻掩模，

其中，所述第二结构级（101b）平行于所述第一结构级（101a），并且与所述第一结构级（101a）间隔开。

5.根据权利要求4所述的光刻掩模，

其中，所述第二结构级（101b）在垂直于平行方向的方向上距所述第一结构级（101a）的间距（105d）大于250nm。

6.根据权利要求1或2所述的光刻掩模，

其中，所述载体（102）是光学透明的，并且其中，所述光刻曝光结构（104a，104b）是进行光学反射的和/或进行光学吸收的。

7.根据权利要求1或2所述的光刻掩模，

其中，所述载体（102）是进行光学反射的，并且其中，所述光刻曝光结构（104a，104b）是进行光学吸收的和/或光学透明的。

8.一种曝光设备（500），其具有：

·光源（502）；

·根据权利要求1至7之一所述的光刻掩模（100）；其中所述曝光设备（500）设立为，使得能够借助于所述光源（502）和所述光刻掩模（100）对衬底（506）进行曝光；并且

其中，所述曝光设备（500）具有用于将光刻曝光结构（104a，104b）成像到所述衬底（506）上的成像光学系统（504），并且所述曝光设备（500）设立为，使得所述光刻曝光结构（104a，104b）具有不同的物距（g），并且因此以不同的像距（b）产生相应的光刻曝光结构（104a，104b）的被聚焦的图像。

9.根据权利要求8所述的曝光设备，

其中，所述曝光设备（500）具有定位装置，用于将所述衬底（506）相对于所述成像光学系统（504）进行定位，使得所述光刻曝光结构（104a，104b）在曝光时被成像到所述衬底（506）上。

10.根据权利要求9所述的曝光设备，

其中，所述定位装置设立为，使得在曝光时，根据第一光刻曝光结构（104a）的像距设定所述衬底（506）距所述成像光学系统（504）的间距。