[发明专利]一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板

说明书

本发明涉及显示装置制备技术领域，公开了一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板，该有机膜基板制备方法，包括：在衬底基板上形成结构器件层，在结构器件层上形成钝化层；在钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案；在有机膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用半曝光工艺对光刻胶涂层进行曝光显影处理。采用上述有机膜基板制备方法制备有机膜产品，既可以节省一道构图工序，降低成本，又可以避免有机膜层受损，保持有机膜层原位膜面，以及使焊接电极处留有钝化层得到保护，有利于改善焊接电极腐蚀，提升产品的良率及信赖性。

技术领域

本发明涉及显示装置制备技术领域，特别涉及一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要通过像素电极和公共电极之间产生的电场来控制液晶分子的转动，以达到所要显示的画面的效果。其中，当前有机膜基板主要有两种制备工艺：一、常规工艺，采用全工序，一方面不会对有机膜膜面进行损坏，保持原位平整的表面；另一方面Bonding lead处电极有PVX/GI保护，提高产品良率及信赖性，但是多一道PVX工序，使产品开发成本较高。二、PVX Mask Skip，因为有机膜本身就是光刻胶，基于有机膜工序可以省去一道PVX工序，有效降低产品开发的成本，但是，此种方法一方面会使Bonding lead处电极暴露，lead电极容易发生腐蚀，降低产品良率及信赖性；另一方面，在刻蚀PVX/GI时，会对有机膜造成损伤，降低有机膜的厚度，要想得到期望厚度的有机膜必须增加有机膜膜层的原位厚度，造成材料浪费，同时会破坏有机膜的原位膜面，致使有机膜膜面粗糙度过大(对有机膜损伤具有随机性和不可控性)，容易导致ITO致密性较差甚至不连续，从而会产生信号缺失、污渍等不良影响。

由上述可知，同时具备上述两种方法的优点，即，既可以节省工艺工序、节省材料，又可以保护Bonding lead处电极的一种新的有机膜基板产品制备工艺的研究很有意义，但目前还没有结合上述两种方法的优点的制备工艺。

发明内容

本发明提供了一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板，采用该有机膜基板制备方法制备有机膜产品，既可以节省一道构图工序，降低成本，又可以避免有机膜层受损，保持有机膜层原位膜面，以及使焊接电极处留有钝化层得到保护，有利于改善焊接电极腐蚀，提升产品的良率及信赖性。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种有机膜基板制备方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成结构器件层，所述结构器件层包括有效显示区域和周边焊接区域；

在所述结构器件层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案；

在所述有机膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用半曝光工艺对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理，其中，对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理时，对所述光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及所述周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部位全部去除，并且对所述光刻胶涂层与所述有机膜层上需要形成电极的部位进行部分去除；

对所述钝化层进行刻蚀、且在对所述钝化层进行刻蚀过程中利用刻蚀余量将光刻胶涂层中的部分去除部位剩余的光刻胶损伤去除。