[发明专利]背面研磨带

说明书

技术领域

本发明涉及背面研磨带。

背景技术

以往，在加工半导体晶圆时，进行对半导体晶圆的背面磨削的背面研磨工序直至得到期望的厚度，进而，为了半导体晶圆面的调整等而进行了湿法蚀刻工序。在背面研磨工序中，为了固定半导体晶圆、且保护与磨削面处于相反侧的面，而使用了粘合带(背面研磨带)(例如，专利文献1)。

近些年，伴随功率器件的薄型化，对于背面研磨工序后或湿法蚀刻工序后的半导体晶圆而言，薄型化的需求也日益增高。背面研磨带在规定的工序后被剥离，但使用以往的背面研磨带的情况下，在剥离该研磨带时，存在薄型化半导体晶圆经常发生破损这样的问题。另外，以往的背面研磨带存在耐化学药品性低、由于在湿法蚀刻工序中使用的酸性液体或碱性液体而劣化这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151163号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述现有问题而完成的，其目的在于提供一种背面研磨带，其具有适于背面研磨工序的粘合力，剥离性也优异、且耐酸性和耐碱性优异。

用于解决问题的方案

本发明的背面研磨带具备：基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂，该(甲基)丙烯酸系粘合剂包含(甲基)丙烯酸系聚合物，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含具有碳数为8以上的侧链的构成单元，该粘合剂层的凝胶分数为40％～80％。

在一个实施方式中，上述基材包含聚烯烃系树脂或聚苯乙烯系树脂。

发明的效果

根据本发明，能够提供背面研磨带，其具有适于背面研磨工序的粘合力，剥离性也优异、且耐酸性或耐碱性优异。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的背面研磨带的示意截面图。

附图标记说明

10基材

20粘合剂层

100 背面研磨带

具体实施方式

A.背面研磨带的整体构成

图1是本发明的一个实施方式的背面研磨带的示意截面图。背面研磨带100具备：基材10、和配置于基材10的至少单侧的粘合剂层20。虽然未图示，但为了保护粘合面，在将本发明的背面研磨带供于使用前的期间也可以在粘合剂层的外侧设置剥离衬垫。

背面研磨带的厚度优选为50μm～500μm、更优选为150μm～350μm。为这样的范围时，能够得到可提高半导体晶圆的背面磨削精度的背面研磨带。

背面研磨带在25℃下的粘合力优选为0.1N/20mm～5N/20mm、更优选为0.2N/20mm～3N/20mm。需要说明的是，在本说明书中粘合力是指：将镜面晶圆(硅制)作为试验板，根据依据JIS Z 0237(2000)的方法(贴合条件：2kg辊往复1次、熟化：在测定温度下进行1小时、剥离速度：300mm/分钟、剥离角度：90°)进行测定的粘合力。

B.粘合剂层

上述粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂。(甲基)丙烯酸系粘合剂可以是热固化型粘合剂、活性能量射线固化型粘合剂等固化型粘合剂，也可以是压敏型粘合剂。优选使用固化型的粘合剂。使用固化型的粘合剂时，能够得到残胶更少的背面研磨带。

上述(甲基)丙烯酸系粘合剂包含(甲基)丙烯酸系聚合物作为基础聚合物。需要说明的是，“基础聚合物”是指粘合剂中所包含的聚合物的主要成分。另外，该说明书中“主要成分”在没有特别记载时是指包含超过50重量％的成分。

上述(甲基)丙烯酸系聚合物包含具有碳数为8以上的侧链的构成单元。作为这样的(甲基)丙烯酸系聚合物，例如优选：包含具有碳数为8以上的支链状或直链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要单体、包含与该主要单体具有共聚性的副单体的单体原料的聚合物。此处主要单体是指占有上述单体原料中的单体组成的超过50重量％的成分。