[发明专利]不同Ba2+/Sr2+比钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化可控制备技术在审
| 申请号： | 201710354538.6 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108866600A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王敏 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510665 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁电薄膜 钛酸锶钡 微弧氧化 钛基体 微弧氧化电解液 预处理 可控制 蒸馏水 钛基体表面 热处理 阳极 氢氧化钡 氢氧化锶 原位生长 制备工艺 常温下 烘干 浸泡 环保 | ||
1.在钛基体表面原位生长不同Ba2+/Sr2+比钛酸锶钡铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对钛基体进行预处理；
(2)将预处理后的钛基体连接到阳极，置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化，反应5～10min，在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜；
所述微弧氧化电解液包括以下成分：
氢氧化钡 0.5mol/L～1.0mol/L；
氢氧化锶 0mol/L～0.5mol/L；
(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1～2小时，最后烘干。
2.根据权利要求1所述的在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，其特征在于，所述微弧氧化的工艺参数为：采用恒压直流模式，设定电压80～200V，电流密度为0.25～1.0A/cm2，脉冲频率为50～200Hz，占空比为60％～95％。
3.根据权利要求1所述的在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，其特征在于，所述对钛基体进行预处理，具体为：
将钛基片表面经180#至1200#砂纸逐级打磨光滑后，分别用丙酮和去离子水清洗，然后吹干备用。
4.根据权利要求1所述的在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的方法，其特征在于，所述微弧氧化电解液配制过程中采用磁力搅拌器边加热边搅拌，温度设定为50℃～60℃，搅拌速度设定为1500～2000r/min。
5.在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化电解液，其特征在于，包括以下成分：
氢氧化钡 0.5mol/L～1mol/L；
氢氧化锶 0mol/L～0.5mol/L。
6.根据权利要求5所述的在钛基体表面原位生长钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化电解液，其特征在于，所述钛基体为工业纯钛或钛合金。
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