[发明专利]一种高硅铝合金的微弧氧化前处理方法在审
| 申请号： | 201710354540.3 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108866598A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王敏 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | C25D11/16 | 分类号： | C25D11/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510665 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高硅铝合金 前处理 微弧氧化 氧化膜层 硅元素 基材 微弧氧化膜层 耐腐蚀性能 表面吸附 超声清洗 低温烘干 组织致密 电解液 混合液 铝合金 铝元素 耐磨损 体积比 去除 浸泡 能耗 溶解 保留 | ||
1.一种高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在一定体积比的HF和浓HNO3的混合液体中对铝硅合金进行浸泡处理，溶解其表层的硅元素，随后再进行超声清洗和低温烘烤，进而做微弧氧化处理，得到一层均匀致密的氧化膜层。
2.根据权利要求1所述的高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，所述基材为硅含量较高的铝合金，硅含量一般不低于4％，且有进行脱脂除油处理。
3.根据权利要求1所述的高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，所述前处理液体为HF和浓HNO3的混合液，HF的体积占为20％～35％。
4.根据权利要求1所述的高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，所述高硅铝合金在前处理液体中为完全浸泡，且浸泡时间根据硅含量的增加，逐渐延长，浸泡时间为20～90秒。
5.根据权利要求1所述的高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，所述高硅铝合金在前处理液体中浸泡后，需进行超声波清洗以去除，被溶解但吸附仍吸附在基体表面的硅单质。
6.根据权利要求1所述的高硅铝合金微弧氧化的前处理方法，其特征在于，经权利要求5处理后，需对其低温烘烤去除其表面水分，并在其表面形成一层薄的氧化膜层，烘烤温度优选为60～150度。
7.高硅铝合金经所述权利要求1至6处理后，需进行微弧氧化处理。
8.根据权利要求7的微弧氧化处理方法，其特征在于，采用NaOH为主电解液溶液，另掺入一定含量的NaF和EDTA2纳作为电解液的稳定剂进行。
9.根据权利要求7的微弧氧化处理方法，其特征在于，所述氧化为恒流模式，氧化的电流密度优选为5～10A/dm2。
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