[发明专利]功函数调节层的制造方法

权利要求书

1.一种功函数调节层的制造方法，其特征在于，包括：将用于形成半导体器件的基底放入反应腔室，然后执行第一主步骤和第二主步骤以在所述基底上形成用作功函数调节层的钛铝合金层；

所述第一主步骤包括：

第一子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含钛的第一前驱体；以及

第二子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含铝的第二前驱体，所述第二前驱体与所述第一前驱体发生反应以形成钛铝合金；

所述第二主步骤包括：

第三子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含铝的第三前驱体，其中，所述第三前驱体的分子量小于所述第二前驱体的分子量，所述第三前驱体与所述第一前驱体发生反应以形成钛铝合金。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一前驱体包括TiCl₄；

所述第二前驱体包括Al(C₂H₅)₃；

所述第三前驱体包括Al(CH₃)₃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一子步骤还包括：从所述反应腔室中抽出未吸附在所述基底上的所述第一前驱体的至少一部分；

所述第二子步骤还包括：从所述反应腔室中抽出未反应的所述第一前驱体和所述第二前驱体的混合气体的至少一部分以及发生反应后的第一产物气体；

所述第三子步骤还包括：从所述反应腔室中抽出未反应的所述第一前驱体、所述第二前驱体和所述第三前驱体的混合气体的至少一部分以及发生反应后的第二产物气体。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第二主步骤还包括：

第四子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含钛的第四前驱体，其中，所述第四前驱体的分子量大于所述第一前驱体的分子量；以及

第五子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含铝的第五前驱体，所述第五前驱体与所述第四前驱体发生反应以形成钛铝合金。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第四前驱体包括：Ti[N(C₂H₅)(CH₃)]₄或者Ti[N(CH₃)₂]₄；

所述第五前驱体包括：Al(C₂H₅)₃。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第四子步骤还包括：从所述反应腔室中抽出未吸附在所述基底上的所述第四前驱体的至少一部分；

所述第五子步骤还包括：从所述反应腔室中抽出未反应的所述第四前驱体和所述第五前驱体的混合气体的至少一部分以及发生反应后的第三产物气体。

7.根据权利要求3或6所述的方法，其特征在于，

在执行所述第一主步骤和所述第二主步骤的过程中，多次循环执行所述第一主步骤和所述第二主步骤，直至所述钛铝合金层的厚度达到目标厚度；

其中，所述多次循环执行所述第一主步骤和所述第二主步骤的过程为：执行所述第一主步骤和所述第二主步骤，然后再次执行所述第一主步骤和所述第二主步骤，如此循环多次。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

在所述多次循环执行所述第一主步骤和所述第二主步骤中的每一次循环执行的过程包括：

对所述第一主步骤循环执行m次，然后对所述第二主步骤循环执行n次；其中，所述m和所述n均为正整数，且m大于n。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述m取值为2、3或4；

所述n取值为1。