[发明专利]具有改善的可制造性的显示基板

说明书

技术领域

本公开一般地涉及平板显示器。更具体地，本公开涉及具有改善的可制造性的显示基板。

背景技术

作为最广泛使用的平板显示设备之一的液晶显示设备向电极施加电压，从而使液晶层中的液晶分子重新排列，因此调节穿过其传输的光的量。液晶显示设备可以包括诸如像素电极和公共电极的场产生电极，以及液晶层。液晶显示设备通过向场产生电极施加电压来产生电场，并且通过使用电场控制液晶层中的液晶分子的排列来显示图像。

液晶显示设备适用于作为薄显示设备的制造，但是具有比正面可见性差的侧面可见性。为了克服液晶显示设备的这种和其它缺点，已经开发了用于液晶分子的排列和驱动的各种方法。具体地，为了实现宽视角，已经开发了其中在单个基板上形成像素电极和公共电极的液晶显示设备。

在这种类型的液晶显示设备中，两种类型的场产生电极(即像素电极和公共电极)中的至少一个设置有多个狭缝和由多个狭缝限定的多个分支电极。

然而，在液晶显示设备中设置两种类型的场产生电极的情况下，需要不同的光掩模，因此液晶显示设备的制造成本增加。

发明内容

本公开的示例实施方式提供一种能够允许两种类型的场产生电极以成本有效的方式在其上形成的显示基板。

然而，本公开的示例实施方式不限于这里所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上及其它示例实施方式对本公开所属领域的普通技术人员来说将变得更加明显。

根据本公开的一示例实施方式，提供一种显示基板。该显示基板包括：基底；设置在基底上的栅电极；栅绝缘层，其被设置在基底上并且覆盖栅电极；半导体层，其被设置在栅绝缘层上并交叠栅电极；源电极和漏电极，其被设置在半导体层上并连接到半导体层；像素电极，其被设置在栅绝缘层上，连接到漏电极，并且从漏电极延伸；公共电极，其与像素电极绝缘并交叠像素电极；以及设置在栅绝缘层和像素电极之间的半导体图案，半导体图案交叠像素电极。半导体图案包括与半导体层相同的材料并从半导体层延伸。

根据本公开的另一示例实施方式，提供一种显示基板。该显示基板包括：基底；设置在基底上的半导体层；栅绝缘层，其被设置在基底上并且覆盖半导体层；栅电极，其被设置在栅绝缘层上并交叠半导体层；公共电极，其被设置在栅绝缘层上并且包括与栅电极相同的材料；绝缘层，其被设置在栅绝缘层上并且覆盖栅电极和公共电极；源电极和漏电极，其被设置在绝缘层上并连接到半导体层；以及像素电极，其被设置在绝缘层上以交叠公共电极，像素电极被连接到漏电极从而从其延伸。

根据该示例实施方式，可以在单个显示基板上以成本有效的方式形成两种类型的场产生电极。

由以下详细描述、图和权利要求，其它特征和方面将是明显的。

附图说明

图1是根据本公开的一示例实施方式的显示基板的示意性平面图。

图2是根据图1的示例实施方式的显示基板的像素的示意性平面图。

图3是包括根据图1的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线X-X'截取的剖视图。

图4是包括根据图1的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线Y-Y'截取的剖视图。

图5是包括根据图1的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图1的线A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖视图。

图6是包括根据本公开的另一示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线X-X'截取的剖视图。

图7是包括根据图6的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线Y-Y'截取的剖视图。

图8是包括根据图6的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图1的线A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖视图。

图9是包括根据本公开的另一示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线X-X'截取的剖视图。

图10是包括根据图9的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图2的线Y-Y'截取的剖视图。

图11是包括根据图9的示例实施方式的显示基板的显示设备沿图1的线A-A'、B-B'、C-C'和D-D'截取的剖视图。

图12至图47是示出制造图3至图5所示的显示基板的方法的剖视图。

图48至图62是示出制造图6至图8所示的显示基板的方法的剖视图。

图63至图65是示出制造图9至图11所示的显示基板的方法的剖视图。