[发明专利]一种多聚酞菁化合物、有机场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710356744.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107033152A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高雪;刘飞;赵合彬;石广东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多聚酞菁 化合物 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种多聚酞菁化合物，其特征在于，其分子结构式如下：
2.一种多聚酞菁化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将邻二甲苯溶于第一溶剂中，并向其中加入碘、还原剂后冷却，将溶于第一溶剂的液溴滴入其中，反应合成4，5-二溴邻二甲苯；
(2)采用上述4，5-二溴邻二甲苯和水在高锰酸钾存在的条件下加热，反应合成4，5-二溴邻苯二甲酸；
(3)采用上述4，5-二溴邻苯二甲酸和1-溴丁烷在相转移催化剂、氢氧化钾、和水存在的条件下加热，反应合成4，5-二溴邻苯二甲酸丁酯；
(4)采用上述4，5-二溴邻苯二甲酸丁酯和氰化亚铜在二甲基甲酰胺存在的条件下加热，反应合成4，5-二羰基丁烷氧基-邻二氰基苯；
(5)采用上述4，5-二羰基丁烷氧基-邻二氰基苯、二异吲哚、乙酰丙酮配合物在正丁醇存在的条件下反应合成得到多聚酞菁化合物。
3.根据权利要求2所述的多聚酞菁化合物的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂包括二氯甲烷，所述还原剂包括铁粉。
4.根据权利要求2所述的多聚酞菁化合物的制备方法，其特征在于，所述催化剂包括四辛基溴化铵。
5.根据权利要求2所述的多聚酞菁化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)反应温度为100-120℃；步骤(3)反应温度为100-120℃；所述步骤(4)反应温度为100-120℃；所述步骤(5)反应温度为100-120℃。
6.根据权利要求2所述的多聚酞菁化合物的制备方法，其特征在于，所述邻二甲苯、碘、还原剂、液溴的摩尔比为0.2-0.3mol：10-11mmol：10-11mmol：0.4-0.5mol；
所述4，5-二溴邻二甲苯、高锰酸钾的摩尔比为0.025-0.030mol：0.1-0.15mol；
所述4，5-二溴邻苯二甲酸与1-溴丁烷、氢氧化钾的摩尔比为0.01-0.015mol：0.01-0.015mol：0.02-0.025mol；
所述4，5-二溴邻苯二甲酸丁酯与氰化亚铜的摩尔比为0.01-0.015mol：0.02-0.025mol；
所述4，5-二羰基丁烷氧基-邻二氰基苯与二异吲哚、乙酰丙酮配合物的摩尔比为1-1.5mmol：0.125-1.135mmol：0.45-0.50mmol。
7.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括半导体材料层，所述半导体材料层由权利要求1-6任一项所述的多聚酞菁化合物构成。
8.根据权利要求7所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述半导体材料层的电子迁移率为1.0-1.5cm2/(V·s)。
9.根据权利要求7所述的有机场效应晶体管，其特征在于，还包括：衬底、栅极层、栅极绝缘层、源漏极；其中，所述栅极层位于所述衬底之上；所述栅极绝缘层位于所述栅极层之上；所述半导体材料层位于所述栅极绝缘层之上；所述源漏极位于所述半导体材料层之上。
10.一种权利要求7-9任一项所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上制备栅极层；
在栅极层上制备栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上制备半导体材料层；
在半导体材料层上同时制备源漏极。
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