[发明专利]Nand闪存的映射表管理方法及其系统有效
申请号: | 201710357222.2 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107168888B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 孙成思;孙日欣;李振华;赖永富 | 申请(专利权)人: | 惠州佰维存储科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
地址: | 516000 广东省惠州市仲恺高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 闪存 映射 管理 方法 及其 系统 | ||
本发明公开了一种Nand闪存的映射表管理方法及其系统,方法包括:当将数据写入Nand闪存时,建立至少一个的一级映射表、二级映射表和三级映射表;判断所述一级映射表、二级映射表和三级映射表的个数是否超过预设个数;若是,则将预设个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至单芯片的内存中,将未存放在单芯片的内存中的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至Nand闪存中。只将一定个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放在单芯片的内存中,其余的则存放在Nand闪存中,可以减少映射表在单芯片的内存中的占用空间,降低单芯片的制作成本。
技术领域
本发明涉及存储技术领域,尤其涉及一种Nand闪存的映射表管理方法及其系统。
背景技术
Nand闪存由于其体积小、质量轻、抗震性强、噪声小、耐高温和低功耗等优点,已经广泛地应用在常见的电子产品中。Nand闪存中的FTL(Flash Translation Layer,闪存转换层)是一种与操作系统间对话的介质,由于存在FTL,因此操作系统可将闪存等产品作为一个磁盘驱动器,在闪存等产品上建立多个虚拟的数据块或者扇区用以存储及管理数据。
目前,由于传统的单层或者双层映射表太大,而电子产品的单芯片的内存大小有限,所以有必要减小映射表在单芯片的内存中所占的空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种Nand闪存的映射表管理方法及其系统,可以减少占用电子产品的单芯片的内存空间。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种Nand闪存的映射表管理方法,包括:
当将数据写入Nand闪存时,建立至少一个的一级映射表、二级映射表和三级映射表,所述一级映射表对应至少一个的所述二级映射表的存放位置,所述二级映射表对应至少一个的所述三级映射表的存放位置,所述三级映射表对应所述数据在Nand闪存上的实际位置;
判断所述一级映射表、二级映射表和三级映射表的个数是否超过预设个数;
若是,则将预设个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至单芯片的内存中,将未存放在单芯片的内存中的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至Nand闪存中。
本发明采用的另一技术方案为:
一种Nand闪存的映射表管理系统,包括:
建立模块,用于当将数据写入Nand闪存时,建立至少一个的一级映射表、二级映射表和三级映射表,所述一级映射表对应至少一个的所述二级映射表的存放位置,所述二级映射表对应至少一个的所述三级映射表的存放位置,所述三级映射表对应所述数据在Nand闪存上的实际位置;
判断模块,用于判断所述一级映射表、二级映射表和三级映射表的个数是否超过预设个数;
存放模块,用于若是,则将预设个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至单芯片的内存中,将未存放在单芯片的内存中的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放至Nand闪存中。
本发明的有益效果在于:当将数据写入Nand闪存时,建立具有三级映射关系的映射表,并且只将一定个数的一级映射表、二级映射表和三级映射表存放在单芯片的内存中,其余的则存放在Nand闪存中,可以减少映射表在单芯片的内存中的占用空间,降低单芯片的制作成本,并且本发明采用三级映射的方式,可以提高查询效率。
附图说明
图1为本发明的Nand闪存的映射表管理方法的流程图;
图2为本发明的Nand闪存的映射表管理系统的示意图。
标号说明:
1、建立模块;2、判断模块;3、存放模块。
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