[发明专利]加热装置和工艺腔室在审
| 申请号： | 201710357889.2 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962780A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 邓玉春 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热盘 固定组件 加热装置 隔热盘 工艺腔室 室内 半导体制备 待加工工件 温度均匀性 扩散 导热性能 腔室壁 热分离 传导 减小 腔室 加热 阻隔 承载 保证 | ||
1.一种加热装置，包括加热盘和固定组件，所述加热盘用于承载并加热待加工工件，所述固定组件用于将所述加热盘固定于腔室中，其特征在于，所述加热装置还包括隔热盘，所述隔热盘设置于所述加热盘与所述固定组件之间，用于阻隔所述加热盘向所述固定组件及腔室内扩散热量。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述隔热盘在所述加热盘上的投影与所述固定组件在所述加热盘上的投影重叠。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述隔热盘与所述加热盘相对的表面，形状相同且面积相等。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述隔热盘采用铝合金材料形成，且所述隔热盘中形成有经真空处理的空腔。
5.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述隔热盘为采用隔热材料形成的实体板状结构，所述隔热材料包括陶瓷、不锈钢或者钛合金中的任一种材料。
6.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述固定组件包括连接筒和固定座，所述隔热盘、所述连接筒以及所述固定座三者依次连接且同轴设置。
7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述连接筒内周壁以及所述隔热盘的下表面暴露在空气中的部分，还填充有耐高温的无机灌封胶。
8.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，该所述加热装置还包括冷却盘，所述冷却盘设置于所述加热盘与所述隔热盘之间，所述冷却盘用于对所述加热盘进行降温。
9.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，还包括测温线和温控单元，其中：
所述测温线，用于采集所述加热盘的实际温度，并将实际温度传送至所温控单元；
所述温控单元，与所述加热盘和所述测温线分别连接，用于根据所述加热盘的实际温度调节向所述加热盘提供的加热功率。
10.一种工艺腔室，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的加热装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710357889.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
