[发明专利]一种T型变换电路及相应的三相变换电路和变换装置

权利要求书

1.一种T型变换电路，其特征是：包括两个竖向设置的可控开关器件、两个横向设置的可控开关器件、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容和第二电容；

所述的两个竖向设置的可控开关器件串联连接，一端连接正母线，另一端连接负母线；

所述的两个竖向设置的可控开关器件之间的连接点作为输入输出端；

所述的两个横向设置的可控开关器件位于中间桥臂上；中间桥臂的一端接至输入输出端，中间桥臂的另一端接至电感的一端；电感的另一端接至中线；

所述的两个横向设置的可控开关器件中，符合第一条件或第二条件的可控开关器件定义为第二可控开关器件，符合第三条件或第四条件的可控开关器件定义为第三可控开关器件；所述的第一条件为该可控开关器件的源极或发射极接至电感；所述的第二条件为该可控开关器件的漏极或集电极接至输入输出端；所述的第三条件为该可控开关器件的源极或发射极接至输入输出端；所述的第四条件为该可控开关器件的漏极或集电极接至电感；

所述的第一二极管和第二二极管串接，第一二极管的阴极接至正母线，第二二极管的阳极接至第三可控开关器件的漏极或集电极；所述的第一电容一端接至第一二极管和第二二极管的连接点，另一端接至第三可控开关器件的源极或发射极；

所述的第三二极管和第四二极管串接，第四二极管的阳极接至负母线，第三二极管的阴极接至第二可控开关器件的源极或发射极；所述的第二电容一端接至第三二极管和第四二极管的连接点，另一端接至第二可控开关器件的漏极或集电极。

2.如权利要求1所述的一种T型变换电路，其特征是，所述的第二可控开关器件与所述的第三可控开关器件反向串联连接，第二可控开关器件的漏极或集电极与第三可控开关器件的漏极或集电极相连接。

3.如权利要求1所述的一种T型变换电路，其特征是，所述的第二可控开关器件与所述的第三可控开关器件反向串联连接，第二可控开关器件的源极或发射极与第三可控开关器件的源极或发射极相连接。

4.如权利要求1所述的一种T型变换电路，其特征是，中间桥臂上还包括第五二极管和第六二极管；

所述的第三可控开关器件的源极或发射极与所述的第二可控开关器件的漏极或集电极接至输入输出端；

所述的第二可控开关器件的源极或发射极接至第五二极管的阳极；

所述的第三可控开关器件的漏极或集电极接至第六二极管的阴极；

第五二极管的阴极与第六二极管的阳极接至电感。

5.如权利要求1至4中任一项所述的一种T型变换电路，其特征是，所述的两个竖向设置的可控开关器件中的任一个采用IGBT单元或MOS单元，当采用IGBT单元时，所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管；当采用MOS单元时，所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

6.如权利要求1至4中任一项所述的一种T型变换电路，其特征是，所述的两个横向设置的可控开关器件中的任一个采用IGBT单元或MOS单元，当采用IGBT单元时，所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管；当采用MOS单元时，所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

7.一种三相变换电路，其特征是，包括第一变换电路、第二变换电路、第三变换电路；

所述的第一变换电路、第二变换电路和第三变换电路均采用如权利要求1至6中任一项所述的一种T型变换电路；

第一变换电路的中线、第二变换电路的中线和第三变换电路的中线相互连接。

8.一种变换装置，其特征是，包括如权利要求1至6中任一项所述的一种T型变换电路，用于实现变流，使电能从直流侧流向交流侧或使电能从交流侧流向直流侧。