[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法有效
| 申请号： | 201710358043.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107424898B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·克鲁克;马克·卡拉瑟斯;安德鲁·普赖斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：
在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；
使用在所述远程等离子体源内产生的所述自由基通过使得所述自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子中的大部分进入所述室，且不在所述室内的任何地方产生带电粒子；
对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及
使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组件是进气口系统组件。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组件用作在所述远程等离子体源中产生的自由基的导管。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述组件是喷头。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组件是设置于所述室内的衬底支承件、所述室的壁的电绝缘部分、或者泵送通道。
6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其中，所述等离子体处理装置是PECVD装置。
7.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其中，所述终点是通过检测到所述DC偏置达到稳态来确定的。
8.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其中，所述清洁是使用F自由基执行的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述远程等离子体源内产生的等离子体使用NF3作为前驱物。
10.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其中，在所述室中沉积一个或更多介电膜之后清洁所述室。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个或更多介电膜中的每一者是含硅介电材料形成的膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述含硅介电材料是二氧化硅或氮化硅。
13.一种等离子体处理装置，包括：
室；
远程等离子体源，其配置为在使用中产生包括自由基和离子的等离子体；
连接器，其将所述远程等离子体源与所述室分离并且使得在所述远程等离子体源内产生的所述自由基能够进入所述室，同时防止在所述远程等离子体源中产生的所述离子中的大部分进入所述室，以使得所述室能够通过自由基来清洁且带电粒子不在所述室内的任何地方产生；
探测器，其对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及
控制器，其配置为使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述连接器是电绝缘的。
15.根据权利要求13或14所述的装置，其中，所述连接器包括多个导气孔。
16.根据权利要求13或14所述的装置，其中，所述装置是PECVD装置。
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