[发明专利]芯片封装体有效
| 申请号： | 201710358120.2 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107403782B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | M·鲍尔;J·丹格尔迈尔;R·恩格尔;J·加特鲍尔;F·希勒;M·许廷格;W·卡纳特;H·克尔纳;J·马勒;B·吕勒;F·J·桑托斯罗德里格斯;A·韦莱伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 | ||
1.一种芯片封装体，包括：
包括芯片金属表面的芯片；
金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面；
封装材料；和
保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；
其中，所述保护层包括或由无机材料的组中的至少一种材料组成，所述组由以下材料组成：
Ni、Co、Cr、Ti、V、Mn、Zn、Sn、Mo、Zr；
其中，所述保护层还包括贵金属，其中，所述保护层包括不含贵金属的区域，其中，所述不含贵金属的区域提供金属接触结构的所述部分与封装材料之间的接合面的至少一部分。
2.一种芯片封装体，包括：
包括芯片金属表面的芯片；
金属接触结构，所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面，其中，所述金属接触结构包括铜和/或银；
封装材料；和
保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；
其中，所述保护层包括或由与所述封装材料不同的四氰基对醌二甲烷组成。
3.一种基于引线框架的芯片封装体，包括：
芯片；
包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；
封装材料；和
保护层，所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成；
其中，所述保护层包括贵金属；
其中，所述保护层的所述部分包括多个不含所述贵金属的区域，和
其中，所述不含所述贵金属的区域提供所述封装材料与非贵金属或另外的非贵金属之间的接合面。
4.根据权利要求3所述的芯片封装体，
其中，所述多个不含所述贵金属的区域中的每个区域具有1nm的最小直径。
5.根据权利要求3或4所述的芯片封装体，
其中，所述不含所述贵金属的区域的累积面积是所述保护层的所述部分的面积的至少5％。
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