[发明专利]一种基于形状记忆聚合物的太阳能电池在审
申请号: | 201710358370.6 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN108963002A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 冷劲松;刘彦菊;高会 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 栾星明;程大军 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形状记忆聚合物 石墨烯 基板 金属箔表面 前驱体溶液 太阳能电池 电池 聚合物基板 表面附着 固化成膜 底电极 顶电极 腐蚀液 金属箔 中间层 涂覆 下层 腐蚀 上层 | ||
1.一种基于形状记忆聚合物的太阳能电池,其依序包括:形状聚合物基板、底电极、下层电池、中间层、上层电池和顶电极。
2.如权利要求1的太阳能电池,其中所述底电极为石墨烯。
3.如权利要求2的太阳能电池,其中所述形状聚合物基板和石墨烯是通过以下过程而结合的:
(1)提供在金属箔表面存在CVD生长得到的石墨烯;
(2)将形状记忆聚合物基板的前驱体溶液涂覆在金属箔的表面上;
(3)将形状记忆聚合物前驱体溶液固化成膜;以及
(4)用腐蚀液把金属箔腐蚀掉,得到表面附着石墨烯的形状记忆聚合物基板。
4.如权利要求1-3之一的太阳能电池,其中所述形状记忆聚合物为热塑性形状记忆聚合物、热固性形状记忆聚合物中的一种或二者任意比例的复合物。
5.如权利要求1-3之一的方法,其中所述的形状记忆聚合物为形状记忆聚酰亚胺。
6.如权利要求3的太阳能电池,其中所述的形状记忆聚酰亚胺的前驱体溶液为通过以下过程制备的聚酰胺酸溶液:
(1)将1,3-双(3-氨基苯氧基)苯和4,4'-双(4-氨苯氧基)联加入到N,N-二甲基乙酰胺中,在氮气保护和室温的条件下,搅拌20min~30min,
(2)加入双酚A型二醚二酐,在氮气保护和室温的条件下搅拌18h~24h,得到聚酰胺酸溶液。
7.如权利要求6的太阳能电池,其中所述1,3-双(3-氨基苯氧基)苯和和4,4'-双(4-氨苯氧基)联的质量比为1:(0.3~5.1);所述的双酚A型二醚二酐与1,3-双(3-氨基苯氧基)苯和4,4'-双(4-氨苯氧基)联的质量比为1:(0.4~0.7)。
8.如权利要求7的太阳能电池,其中在步骤(3)中采用逐步升温和保温的方式使聚酰胺酸溶液转变成聚酰亚胺薄膜。
9.如权利要求1的太阳能电池,其中所述金属箔为铜箔。
10.如权利要求1的太阳能电池,其中所述腐蚀液为浓度15%的氯化铁腐蚀液。
11.一种将石墨烯结合到形状记忆聚合物基板的方法,其包括以下步骤:
(1)提供在金属箔表面存在CVD生长得到的石墨烯;
(2)将形状记忆聚合物基板的前驱体溶液涂覆在金属箔表面;
(3)将形状记忆聚合物前驱体溶液固化成膜;以及
(4)用腐蚀液把金属箔腐蚀掉,得到表面附着石墨烯的形状记忆聚合物基板。
12.通过权利要求11的方法得到的表面附着石墨烯的形状记忆聚合物基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的