[发明专利]一种T型变换电路及相应的三相变换电路和变换装置

权利要求书

1.一种T 型变换电路，其特征是：包括第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件、第四可控开关器件、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第一电容和第二电容；

第一可控开关器件和第四可控开关器件串联连接，第一可控开关器件的漏极或集电极连接正母线，第四可控开关器件的源极或发射极连接负母线，所述的第一可控开关器件和第四可控开关器件竖向设置；

第一可控开关器件和第四可控开关器件之间的连接点作为输入输出端；

第二可控开关器件和第三可控开关器件分别与第五二极管和第六二极管串接后再并联形成中间桥臂，所述的中间桥臂的一端接至输入输出端，中间桥臂的另一端接至电感的一端，电感的另一端接至中线；其中，所述的第二可控开关器件的漏极或集电极接至输入输出端并且所述第三可控开关器件的源极或发射极接至输入输出端，或者所述第二可控开关器件的源极或发射极接至电感并且所述的第三可控开关器件的漏极或集电极接至电感，所述的第二可控开关器件和第三可控开关器件横向设置；

所述的第一二极管和第二二极管串接，第一二极管的阴极接至正母线，第二二极管的阳极接至电感与中间桥臂的连接点，所述的第一电容一端接至第一二极管和第二二极管的连接点，另一端接至输入输出端；

所述的第三二极管和第四二极管串接，第四二极管的阳极接至负母线，第三二极管的阴极接至第六二极管的阳极；所述的第二电容一端接至第三二极管和第四二极管的连接点，另一端接至第六二极管的阴极。

2.如权利要求1所述的一种 T型变换电路，其特征是，中间桥臂上，第二可控开关器件的源极或发射极接至电感，第二可控开关器件的漏极或集电极与第五二极管的阴极连接，第五二极管的阳极接至输入输出端；第三可控开关器件的漏极或集电极接至电感，第三可控开关器件的源极或发射极与第六二极管的阳极连接，第六二极管的阴极接至输入输出端。

3.如权利要求1所述的一种 T型变换电路，其特征是，中间桥臂上，第五二极管的阴极接至电感，第五二极管的阳极与第二可控开关器件的源极或发射极连接，第二可控开关器件的漏极或集电极接至输入输出端；第六二极管的阳极接至电感，第六二极管的阴极与第三可控开关器件的漏极或集电极连接，第三可控开关器件的源极或发射极接至输入输出端。

4.如权利要求1至3中任一项所述的一种 T型变换电路，其特征是，所述的两个竖向设置的可控开关器件中的任一个采用 IGBT 单元或 MOS单元，当采用 IGBT 单元时，所述的IGBT 单元包括 IGBT 管和与 IGBT 管反并联连接的二极管；当采用 MOS 单元时，所述的MOS 单元可为带体二极管的 MOS 管或包括不带体二极管的 MOS 管和反并联二极管。

5.如权利要求1至3中任一项所述的一种 T型变换电路，其特征是，所述的两个横向设置的可控开关器件中的任一个采用 IGBT 单元或 MOS单元，当采用 IGBT 单元时，所述的IGBT 单元包括 IGBT 管和与 IGBT 管反并联连接的二极管；当采用 MOS 单元时，所述的MOS 单元可为带体二极管的 MOS 管或包括不带体二极管的 MOS 管和反并联二极管。

6.一种三相变换电路，其特征是，包括第一变换电路、第二变换电路、第三变换电路；所述的第一变换电路、第二变换电路和第三变换电路均采用如权利要求1至5中任一项所述的一种 T型变换电路；第一变换电路的中线、第二变换电路的中线和第三变换电路的中线相互连接。

7.一种变换装置，其特征是，包括如权利要求2中所述的一种 T 型变换电路，其中，第一二极管、第二二极管、第二可控开关器件、第五二极管和第一电容整合设置为第一电路模块；

所述的第一电路模块的第一端连接第一二极管的阴极，用于接至正母线；所述的第一电路模块的第二端连接第二二极管的阳极，用于接至电感；所述的第一电路模块的第三端连接第五二极管的阳极，用于接至输入输出端。