[发明专利]一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板有效
| 申请号： | 201710358507.8 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107170679B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;段献学 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28;H01L23/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 图形 制作方法 显示 | ||
1.一种导电图形的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成导电层；
在所述导电层上形成保护层的图形；
以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀，形成导电过渡图形；
以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形，所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度；
去除所述保护层的图形。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀包括：
以所述保护层的图形为掩膜，使用Ar+离子对所述导电层进行轰击刻蚀。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀形成导电图形包括：
以所述保护层的图形为掩膜，使用刻蚀液浸泡或喷淋导电过渡图形，从而使得所述导电图形的刻蚀侧面的坡度角在预设范围内。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，
所述预设范围为30°～60°。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述导电层包括第一导电薄膜和第二导电薄膜，所述第二导电薄膜位于所述第一导电薄膜远离所述衬底的一侧，在对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀时，所述第二导电薄膜被刻蚀的速率大于所述第一导电薄膜被刻蚀的速率。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，
所述第一导电薄膜和所述第二导电薄膜的同一刻蚀侧面呈升阶的阶梯结构。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述导电层包括第二导电薄膜、位于所述第二导电薄膜远离所述衬底一侧的第一导电薄膜和位于所述第一导电薄膜远离所述衬底一侧的另一第二导电薄膜，在对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀时，所述第二导电薄膜被刻蚀的速度大于所述第一导电薄膜被刻蚀的速度。
8.根据权利要求5或7所述的制作方法，其特征在于，
所述第一导电薄膜的形成材料包括Cu，所述第二导电薄膜的形成材料包括Mo。
9.一种导电图形，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的制作方法制作得到，所述导电图形的刻蚀侧面的坡度角在预设范围内，所述预设范围为30°～60°。
10.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，以及形成在所述衬底基板上的如权利要求9所述的导电图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
