[发明专利]一种变换电路及相应的三相变换电路和变换装置在审

专利信息
申请号: 201710360829.6 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN108964506A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 易龙强 申请(专利权)人: 厦门科华恒盛股份有限公司
主分类号: H02M7/797 分类号: H02M7/797
代理公司: 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 代理人: 娄烨明
地址: 361000 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 变换电路 变换装置 电路模块 三相变换电路 二极管器件 元器件 电感 第一电路模块 可控开关器件 电气布局 降低功率 内部线路 拓扑结构 整流装置 二极管 电容 软开关 功耗 母排 逆变 紧凑 改造
【权利要求书】:

1.一种变换电路,包括第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件、第四可控开关器件、第五二极管和第六二极管;所述的第一可控开关器件、第二可控开关器件、第三可控开关器件和第四可控开关器件依次串接在正母线和负母线之间;所述的第五二极管和第六二极管串接,第五二极管的阴极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,第六二极管的阳极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点;第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点作为输入输出端;

其特征是,还包括电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容和第二电容;

所述的电感一端连接中线,另一端接至第五二极管和第六二极管的连接点;

所述的第一二极管和第二二极管串接,第一二极管的阴极接正母线,第二二极管的阳极接至第一可控开关器件和第二可控开关器件的连接点,所述的第一电容一端接至第一二极管和第二二极管的连接点,另一端接至第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点;

所述的第三二极管和第四二极管串接,第三二极管的阴极接至第三可控开关器件和第四可控开关器件的连接点,第四二极管的阳极接负母线,所述的第二电容一端接至第二可控开关器件和第三可控开关器件的连接点,另一端接至第三二极管和第四二极管的连接点。

2.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第一可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第一可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第一可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

3.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第二可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第二可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第二可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

4.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第三可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第三可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第三可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

5.如权利要求1所述的一种变换电路,其特征是,所述的第四可控开关器件为IGBT单元或MOS单元,当第四可控开关器件为IGBT单元时,所述的IGBT单元包括IGBT管和与IGBT管反并联连接的二极管;当第四可控开关器件为MOS单元时,所述的MOS单元可为带体二极管的MOS管或包括不带体二极管的MOS管和反并联二极管。

6.一种三相变换电路,其特征是,包括第一变换电路、第二变换电路、第三变换电路;

所述的第一变换电路、第二变换电路和第三变换电路均采用如权利要求1至5中任一项所述的一种变换电路;

第一变换电路的中线、第二变换电路的中线和第三变换电路的中线相互连接。

7.一种变换装置,其特征是,包括如权利要求1至5中任一项所述的一种变换电路,用于实现变流,使电能从直流侧流向交流侧或使电能从交流侧流向直流侧。

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