[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201710361808.6 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106952964B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张慧娟;李栋;李小龙;李良坚;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
通过循序性横向晶化法在衬底基板之上形成多晶硅有源层，所述多晶硅有源层的表面具有多个凸起结构，所述凸起结构所在区域作为晶界区，相邻两个所述凸起结构之间所在区域作为晶粒内部区；
在所述多晶硅有源层之上形成栅极绝缘层，其中，形成的所述栅极绝缘层内厚度差在第一预设范围内；
薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层，使薄化后的所述栅极绝缘层内厚度差在第二预设范围内，其中，所述第二预设范围小于所述第一预设范围。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层，具体包括：
将所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层的厚度薄化至与所述晶界区的所述栅极绝缘层的厚度一致。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层，具体包括：
在所述栅极绝缘层之上形成遮挡所述晶界区的光刻胶层图案；
对所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层刻蚀预设时长。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过循序性横向晶化法在衬底基板之上形成多晶硅有源层，具体包括：
在衬底基板之上形成非晶硅膜层；
通过循序性横向晶化法，晶化所述非晶硅膜层形成多晶硅膜层；
通过构图工艺，使所述多晶硅膜层形成多晶硅有源层。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述通过循序性横向晶化法，晶化所述非晶硅膜层形成多晶硅膜层之前，所述制作方法还包括：
对所述非晶硅膜层退火，去除所述非晶硅膜层中的氢。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板之上形成非晶硅膜层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板之上形成缓冲层。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层之后，所述制作方法还包括：在所述栅极绝缘层之上依次形成栅极、层间绝缘层以及源漏极层。
8.一种采用如权利要求1-7任一项所述制作方法制作的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
设置在衬底基板之上的多晶硅有源层；
设置在所述多晶硅有源层之上的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层内厚度差在第二预设范围内。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的薄膜晶体管。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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