[发明专利]数据储存装置以及数据错误管理方法

说明书

本发明提出一种高可靠度数据储存装置，其中非易失性存储器的储存空间包括多个第一阶单元，且该多个第一阶单元更分组为多个第二阶单元。控制单元使第一阶单元各自编有检正校验码，并在读取一指定的第一阶单元时，根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的检正校验码的数据状况，据以自我检测含括该指定的第一阶单元的一指定的第二阶单元的其他空间。

技术领域

本发明是有关于数据储存装置。

背景技术

数据储存装置所采用的非易失性存储器可以是快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式存储器(Resistive RAM，RRAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin TransferTorque-RAM，简称STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。如何确保非易失性存储器储存内容的可靠度为本技术领域一项重要课题。

发明内容

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非易失性存储器以及一控制单元。该非易失性存储器提供划分为多个第一阶单元的储存空间，且这些第一阶单元更分组为多个第二阶单元，使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元。该控制单元使这些第一阶单元分别编有检正校验码，并在读取一指定的第一阶单元时，根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况，据以自我检测该非易失性存储器的其他数据。该指定的第一阶单元属于这些第二阶单元中一指定的第二阶单元。基于该指定的第一阶单元的检正校验码辨别出该指定的第一阶单元的数据超过一第一临界错误量时，该控制单元检测另外N个第一阶单元，N为数量。上述N个第一阶单元属于该指定的第二阶单元。上述N个第一阶单元中多于M个的数据超过一第二临界错误量时，该控制单元标示该指定的第二阶单元为损毁，M为数量。

根据本案一种实施方式所实现的一种数据错误管理方法，应用于一数据储存装置且包括：对一非易失性存储器进行检正校验码编码，其中，该非易失性存储器提供划分为多个第一阶单元的储存空间，且这些第一阶单元更分组为多个第二阶单元，使一个上述第二阶单元包括多个上述第一阶单元；使这些第一阶单元分别编有上述检正校验码；且在读取一指定的第一阶单元时，根据该指定的第一阶单元的检正校验码判断该指定的第一阶单元的数据状况，据以自我检测该非易失性存储器的其他数据。该指定的第一阶单元属于这些第二阶单元中一指定的第二阶单元。基于该指定的第一阶单元的检正校验码辨别出该指定的第一阶单元的数据超过一第一临界错误量时，其他N个第一阶单元更受检测，其中，N为数量。上述N个第一阶单元属于该指定的第二阶单元。上述N个第一阶单元中多于M个的数据超过一第二临界错误量时，该指定的第二阶单元标示为损毁，其中，M为数量。

本案另一种实施方式所提出的一数据储存装置包括一非易失性存储器以及一控制单元。该非易失性存储器包括多个物理区块，每一这些物理区块包括多个数据页。该控制单元可对这些物理区块的一目标区块的这些数据页的一目标页执行一读取要求以取得一目标数据。当该目标数据的一错误位数大于一预设值时，该控制单元主动地对该目标区块的至少一其他数据页执行该读取要求以取得至少一其他数据。如果该至少一其他数据的至少一错误位也大于该预设值时，该控制单元主动地将该目标区块所储存的有效数据复制至另一这些物理区块。

本案所揭露技术使得损坏的储存空间得以在数据无法救回前被发现。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1以方块图图解根据本案一种实施方式所实现的一数据储存装置100；

图2图解一物理页的储存空间规划；

图3为流程图，根据本案第一种实施方式图解快闪存储器102的数据错误管理程序；

图4为流程图，根据本案第二种实施方式图解快闪存储器102的数据错误管理程序；