[发明专利]一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：包括陶瓷基板（01），所述陶瓷基板（01）的背面两长侧边设置有折条线（02），所述陶瓷基板（01）的正面两短侧边设置有折粒线（03），所述折条线（02）和折粒线（03）在空间内相垂直设置，所述陶瓷基板（01）的背面印刷有背面电极（04），所述陶瓷基板（01）的正面上折粒线（03）的内侧对称印刷有第一正面电极（05），两片第一正面电极（05）之间印刷有电阻阻体（06），所述电阻阻体（06）的上表面设置有第一保护层（07），所述电阻阻体（06）及第一保护层（07）上设置有镭切线（08）, 两片第一正面电极（05）的上表面还设置有第二正面电极（09），所述第二正面电极（09）用于保护对应的第一正面电极（05），所述镭切线（08）的上表面设置有第二保护层(10)且覆盖在第一保护层（07）上，位于第一正面电极（05）两侧的陶瓷基板（01）的两侧面分别设置有侧面电极（11），用于将第一正面电极（05）与背面电极（04）导通。

2.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述陶瓷基板（01）采用氧化铝材质制成。

3.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述背面电极（04）、第一正面电极（05）和侧面电极（11）的表面均镀有镍层（12），所述镍层（12）的外表面镀有锡层（13）。

4.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述第一正面电极（05）采用银钯材料制成，所述第二正面电极（09）采用树脂银材料制成。

5.根据权利要求3所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述镍层（15）的厚度为4-15μm。

6.根据权利要求3所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述锡层（16）的厚度为5-15μm。

7.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电阻阻体（06）的印刷图形面积为0.020mm²-0.024mm²。

8.一种高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤（1），以氧化铝为材质制作陶瓷基板体，在陶瓷基板的背面采用激光镭射切割方式刻置将其等分的多条折条线（02），在陶瓷基板的正面采用激光镭射切割方式刻置将其等分的多条折粒线（03），折条线（02）和折粒线（03）在空间内相垂直设置，将陶瓷基板体划分为若干份陶瓷基板（01）；

步骤（2），将刻置有折条线（02）、折粒线（03）的陶瓷基板体通过超声波仪器进行清洗；

步骤（3），在陶瓷基板体的背面通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料，并进行烧结，从而在陶瓷基板体的各陶瓷基板（01）的背面形成背面电极（04）；

步骤（4），在陶瓷基板体的各陶瓷基板（01）的正面上折粒线（03）的内侧对称部位，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，并进行烧结，从而在陶瓷基板体的各陶瓷基板（01）的正面形成对称设置的第一正面电极（05）；

步骤（5），通过丝网厚膜印刷方式在各陶瓷基板（01）正面两侧的第一正面电极（05）之间印刷涂覆一层阻体浆料，并进行烧结，从而形成电阻阻体（06）；

步骤（6），在电阻阻体（06）的上表面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层玻璃浆料，并进行烧结，从而形成作为保护电阻阻体（06）的第一保护层（07）；

步骤（7），通过使用激光镭射切割的方式对电阻阻体（06）进行修正，形成客户所需的阻值及精度，在电阻阻体（06）及第一保护层（07）上形成镭切线（08）；

步骤（8），在第一正面电极（05）的上表面，通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂银浆料，并进行烧结，从而形成作为第一正面电极（05）的第二正面电极（09）；

步骤（9），在镭切线（08）的上表面，通过丝网印刷方式印刷涂覆一层树脂浆料，并进行烧结，从而形成作为电阻阻体（06）的第二保护层（10），且第二保护层(10)且覆盖在第一保护层（07）上；

步骤（10），沿所述陶瓷基板体的每条折条线（02）将经过步骤（1）-步骤（9）处理后的陶瓷基板体，依序折成条状的陶瓷基板条状半成品；

步骤（11），将陶瓷基板条状半成品通过治具堆叠的方式堆叠在一起，对陶瓷基板条状半成品的两侧面采用真镀镍铬合金材料方式，形成使第一正面电极（05）与背面电极（04）导通的侧面电极（11）；

步骤（12），沿所述陶瓷基板条状半成品的每条折粒线（03）将经过步骤（10）-步骤（11）处理后的陶瓷基板条状半成品，依序折成粒状的陶瓷基板粒状半成品；

步骤（13），将陶瓷基板粒状半成品的背面电极（04）、正面电极（05）和侧面电极（11）的表面通过滚镀方式电镀一层金属镍，从而形成镍层（12）；

步骤（14），再将陶瓷基板粒状半成品的镍层（12）的表面通过滚镀方式电镀一层金属锡，从而形成锡层（13），完成高密度超小型厚膜晶片电阻的制造。