[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极；

在所述数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，并对所述石墨烯源极进行离子注入，以将部分所述石墨烯源极转换为半导体有源层；

在所述半导体有源层及所述钝化层上分别形成漏极和ITO像素电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述栅极为围绕所述石墨烯源极的环形栅极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层，包括：

在所述阵列基板上沉积栅极绝缘层，并覆盖第一光阻；

利用第一道光罩对所述栅极绝缘层和第一光阻进行图案化处理，形成图案化的栅极绝缘层和剩余的第二光阻，所述第二光阻覆盖所述栅极绝缘层；

在所述阵列基板上沉积石墨烯材料，并去除所述第二光阻，以在所述栅极绝缘层的图案化区域内形成所述石墨烯数据线和所述石墨烯源极。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极，包括：

在所述石墨烯数据线、石墨烯源极和栅极绝缘层上覆盖第三光阻；

利用第二道光罩对所述第三光阻进行曝光，暴露出部分所述栅极绝缘层；

对暴露出的所述栅极绝缘层进行刻蚀，形成用于制备扫描线和栅极的第一沟道；

在所述阵列基板上沉积金属层，并去除所述第三光阻，在所述第一沟道内形成所述扫描线和所述栅极；

其中，用于所述扫描线包括分别位于所述石墨烯数据线两侧的第一部分扫描线和第二部分扫描线。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述石墨烯数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，包括：

在所述阵列基板上沉积钝化层，所述钝化层覆盖所述石墨烯数据线、石墨烯源极、扫描线和栅极，并在所述钝化层上覆盖第四光阻；

利用第三道光罩对所述第四光阻进行曝光，使所述第四光阻形成全曝光区、半曝光区和未曝光区，其中，所述全曝光区对应所述石墨烯源极、部分第一部分扫描线和部分第二部分扫描线，所述半曝光区对应所述石墨烯数据线和所述钝化层上的像素区；

对所述全曝光区处的所述钝化层进行刻蚀，暴露出所述石墨烯源极、部分第一部分扫描线和部分第二部分扫描线，并去除所述半曝光区处的所述第四光阻。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层及所述钝化层上形成ITO像素电极，包括：

在所述阵列基板上沉积ITO导电层；

去除所述未曝光区处的所述第四光阻，以在所述半导体有源层上以及所述钝化层上的像素区形成ITO像素电极，并导通所述部分第一部分扫描线和部分第二部分扫描线。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极，包括：

在所述石墨烯数据线、石墨烯源极和栅极绝缘层上覆盖第五光阻；

利用第四道光罩对所述第五光阻进行曝光，使所述第五光阻形成全曝光区、半曝光区和未曝光区，其中，所述半曝光区对应于所述石墨烯数据线两侧，全曝光区对应于围绕所述石墨烯源极的环形位置；

对所述半曝光区处的所述第五光阻和所述全曝光区处的所述栅极绝缘层进行刻蚀，暴露出所述半曝光区对应的栅极绝缘层，且在所述全曝光区对应的栅极绝缘层上形成第二沟道；

在所述阵列基板上沉积金属层，并去除剩余的所述第五光阻，以在所述半曝光区对应的栅极绝缘层上分别形成第一部分扫描线和第二部分扫描线，同时在所述第二沟道内形成栅极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述石墨烯数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，包括：

在所述阵列基板上沉积钝化层，并在所述钝化层上覆盖第六光阻；

利用第五道光罩对所述第六光阻和钝化层进行图案化处理，暴露出部分所述第一部分扫描线、部分所述第二部分扫描线以及所述石墨烯源极，并去除剩余的所述第六光阻。