[发明专利]电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：

第一电极，位于介电层上；

介电质，覆盖所述第一电极的侧壁与顶面；以及

第二电极，覆盖所述介电质与所述介电层，其中所述第二电极于所述介电层上的正投影面积大于所述第一电极于所述介电层上的正投影面积。

2.根据权利要求1所述的电容器，还包括第一导体层和第二导体层，分别位于所述介电层的相对两侧，其中所述第一导体层和所述第二导体层分别电连接于所述第一电极和所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极为第M层导体层，所述第一导体层为第M-1层导体层，所述第二导体层为第M+1层导体层，其中M≥2。

4.根据权利要求2所述的电容器，还包括第一介层窗和第二介层窗，其中所述第一介层窗位于所述第二电极上且与所述第二导体层及所述第二电极电连接，所述第二介层窗位于所述介电层中且与所述第一导体层及所述第一电极电连接。

5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二电极于所述介电层上的正投影面积大于所述介电质于所述介电层上的正投影面积。

6.一种电容器，其特征在于，包括：

第一电极，位于介电层上；

介电质，覆盖所述第一电极的侧壁与顶面；

第二电极，覆盖所述介电质和所述介电层；以及

第一介层窗，与所述第二电极电连接，且所述第一介层窗位于所述第二电极上未与所述第一电极重叠处。

7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一介层窗未与所述介电质重叠。

8.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述介电质还位于所述介电层的部分表面。

9.根据权利要求6所述的电容器，还包括第二介层窗，位于所述介电层中且与所述第一电极电连接。

10.根据权利要求9所述的电容器，还包括第一导体层和第二导体层，分别位于所述介电层的相对两侧，其中所述第一导体层和所述第二导体层分别电连接于所述第二介层窗和所述第一介层窗。

11.根据权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极为第M层导体层，所述第一导体层为第M-1层导体层，所述第二导体层为第M+1层导体层，其中M≥2。

12.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一电极的厚度范围为至

13.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括：

在介电层上形成第一电极材料层；

图案化所述第一电极材料层，以形成第一电极；

在所述介电层和所述第一电极上覆盖介电质材料；

图案化所述介电质材料，以于所述第一电极的顶面和侧壁上形成介电质；以及

在所述介电质上覆盖第二电极。

14.根据权利要求13所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述介电质上覆盖所述第二电极之后，还包括于所述第二电极上形成第一介层窗。

15.根据权利要求14所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一介层窗位于所述第二电极上未与所述第一电极重叠处。

16.根据权利要求15所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述第一介层窗未与所述介电质重叠。

17.根据权利要求14所述的电容器的制造方法，其特征在于，在所述介电层上形成第一电极材料之前，还包括于所述介电层中形成第二介层窗，其中所述第二介层窗与所述第一电极电连接。