[发明专利]CMOS输出电路有效

专利信息
申请号: 201710364597.1 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107425842B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 田中智士 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;G06F13/40
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 范胜杰;曹鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: cmos 输出 电路
【权利要求书】:

1.一种CMOS输出电路,其特征在于,具有:

第1PMOSFET,其源极与电源端连接,漏极与输出端连接,背栅与第1电位端连接;

第1NMOSFET,其漏极与所述输出端连接,源极与接地端连接,背栅与第2电位端连接;

第1电位切换部,其对将所述第1电位端连接至所述电源端或连接至所述输出端进行切换;

第2电位切换部,其对将所述第2电位端连接至所述接地端或连接至所述输出端进行切换;

第1栅极切换部,其对是否将所述第1PMOSFET的栅极与所述第1电位端短路进行切换;

第2栅极切换部,其对是否将所述第1NMOSFET的栅极与所述第2电位端短路进行切换;

第1驱动器,其根据第1输入信号来进行所述第1PMOSFET的栅极驱动;

第2驱动器,其根据第2输入信号来进行所述第1NMOSFET的栅极驱动;以及

控制部,其控制电路各部,以便在使所述第1PMOSFET与所述第1NMOSFET双方断开时,将所述第1电位端与所述电源端和所述输出端之中电位高的一方相连接,将所述第2电位端与所述接地端和所述输出端之中电位低的一方相连接,将所述第1PMOSFET的栅极与所述第1电位端短路,将所述第1NMOSFET的栅极与所述第2电位端短路。

2.根据权利要求1所述的CMOS输出电路,其特征在于,

所述控制部具备用于接受控制信号的输入的外部端子,并根据所述控制信号来控制电路各部。

3.根据权利要求1所述的CMOS输出电路,其特征在于,

所述控制部具备用于由所述第1输入信号和所述第2输入信号生成控制信号的逻辑门,根据所述控制信号来控制电路各部。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的CMOS输出电路,其特征在于,

所述第1栅极切换部除了用于将所述第1PMOSFET的栅极与所述第1电位端之间短路的第1开关,还包含用于将所述第1PMOSFET的栅极与所述输出端之间短路的第2开关,

所述第2栅极切换部除了用于将所述第1NMOSFET的栅极与所述第2电位端之间短路的第3开关,还包含用于将所述第1NMOSFET的栅极与所述输出端之间短路的第4开关。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的CMOS输出电路,其特征在于,

该CMOS输出电路还具有:

第1电位固定部,其将所述第1电位端上拉至所述电源端,使得所述第1电位端不会变为不稳定电位;以及

第2电位固定部,其将所述第2电位端下拉至所述接地端,使得所述第2电位端不会变为不稳定电位。

6.根据权利要求5所述的CMOS输出电路,其特征在于,

所述第1电位固定部包含用于限制在所述第1电位端与所述电源端之间流过的电流的第1电阻,

所述第2电位固定部包含用于限制在所述第2电位端与所述接地端之间流过的电流的第2电阻。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的CMOS输出电路,其特征在于,

所述第1驱动器包含:第2PMOSFET,其源极与所述电源端连接,漏极与所述第1PMOSFET的栅极连接,背栅与所述第1电位端连接;以及第3PMOSFET,其源极及背栅与所述第1电位端连接,漏极与所述第2PMOSFET的栅极连接,

所述第2驱动器包含:第2NMOSFET,其源极与所述接地端连接,漏极与所述第1NMOSFET的栅极连接,背栅与所述第2电位端连接;以及第3NMOSFET,其源极及背栅与所述第2电位端连接,漏极与所述第2NMOSFET的栅极连接。

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