[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤。

2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤在制备金属氧化物沟道层(4)之后进行，采用对金属氧化物沟道层(4)进行离子注入或等离子体掺杂的方式掺杂氮元素。

3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述向金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素的步骤与制备金属氧化物沟道层(4)同时进行，采用向金属氧化物沟道层(4)通入氮气的方式掺杂氮元素。

4.如权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极(2)；

在所述衬底基板(1)与栅极(2)上沉积、覆盖栅极绝缘层(3)；

在所述栅极绝缘层(3)上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)；

对金属氧化物沟道层(4)进行离子注入或等离子体掺杂，以向所述金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素；

在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极(51)、与漏极(52)；

在源极(51)、漏极(52)、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积、覆盖钝化层(6)。

5.如权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积第一金属层，对第一金属层进行刻蚀，形成栅极(2)；

在所述衬底基板(1)与栅极(2)上沉积、覆盖栅极绝缘层(3)；

在所述栅极绝缘层(3)上制备一层金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)，在制备金属氧化物薄膜的同时通入氮气，以向所述金属氧化物沟道层(4)掺杂氮元素；

在掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积第二金属层，对第二金属层进行刻蚀，形成源极(51)、与漏极(52)；

在源极(51)、漏极(52)、及掺杂了氮元素的金属氧化物沟道层(4)上沉积、覆盖钝化层(6)。

6.如权利要求4或5所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射工艺制备金属氧化物薄膜作为金属氧化物沟道层(4)；通过化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层(3)及钝化层(6)。

7.如权利要求4或5所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的材料为铟镓锌氧化物；所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、铝、铜中的一种或至少两种的层叠；所述栅极绝缘层(3)与钝化层(6)的材料均为氧化硅。

8.一种金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，包括金属氧化物沟道层(4)，且所述金属氧化物沟道层(4)内掺杂有氮元素。

9.如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括衬底基板(1)、栅极(2)、栅极绝缘层(3)、源极(51)、漏极(52)、及钝化层(6)；

所述栅极(2)设在衬底基板(1)上，所述栅极绝缘层(3)覆盖衬底基板(1)与栅极(2)，所述金属氧化物沟道层(4)设在栅极绝缘层(3)上，所述源极(51)与漏极(52)设在掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层(4)上，所述钝化层(6)覆盖源极(51)、漏极(52)、及掺杂有氮元素的金属氧化物沟道层(4)。