[发明专利]一种石墨烯图形化生长方法在审
申请号: | 201710364847.1 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107311159A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 张大勇;金智;史敬元;彭松昂;黄昕楠;姚尧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C01B32/188 | 分类号: | C01B32/188;C01B32/186 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 图形 化生 方法 | ||
1.一种石墨烯图形化生长方法,其特征在于,包括:
步骤一、在衬底表面形成镍层,用于提供石墨烯的生长衬底;
步骤二、将表面图形化模板覆盖在所述镍层表面,在所述镍层表面生成与所述表面图形化模板相对应的石墨烯图形。
2.根据权利要求1所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,在所述步骤二之后,所述方法还包括:
步骤三、将所述石墨烯图形转移到目标衬底表面。
3.根据权利要求2所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述衬底和目标衬底的材料为石英、硅或柔性PET。
4.根据权利要求2所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述步骤一通过蒸发在所述衬底表面形成镍层。
5.根据权利要求2所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述表面图形化模板的材料为石英玻璃。
6.根据权利要求21所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述表面图形化模板与所述镍层紧密贴合。
7.根据权利要求2所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述步骤二通过在化学气相沉积炉中通入甲烷和氢气生成所述石墨烯。
8.根据权利要求7所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述步骤二生成所述石墨烯的反应条件为在1000℃下反应10min。
9.根据权利要求2所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述步骤三还包括在所述生长有石墨烯图形的镍层表面旋涂光刻胶,去除镍层后,将光刻胶及石墨烯的复合层转移到所述目标衬底表面,去除光刻胶。
10.根据权利要求9所述的石墨烯图形化生长方法,其特征在于,所述镍层通过盐酸腐蚀除去,所述光刻胶通过丙酮溶解除去。
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