[发明专利]草坪种植方法在审
申请号: | 201710365026.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107409678A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 韦俊 | 申请(专利权)人: | 柳州市跃坤农业开发有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 柳州市集智专利商标事务所45102 | 代理人: | 韦永青,覃伟辉 |
地址: | 545002 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 草坪 种植 方法 | ||
技术领域
本发明涉及种植技术领域,尤其是一种草坪种植方法。
背景技术
草坪指以禾本科草及其它质地纤细的植物为覆盖土壤表层的地被,适用于美化环境、园林景观、净化空气、保持水土、提供户外活动场所。随着社会的发展,城市建筑面积和道路面积的增加,草坪逐渐被挤占。特别是人们休闲活动及车辆停放的场地与草坪争地,在草坪上进行休闲活动及停放车辆,草坪很容易被踩踏损坏。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种草坪种植方法,可以解决在草坪上进行休闲活动及停放车辆,草坪容易被踩踏损坏的问题。
为了解决上述问题,本发明采用的技术方案是:这种草坪种植方法,包括以下步骤:
A、将种植地的土壤夯实,铺10~15 cm厚的碎石,在碎石上铺15~20cm厚的种植土并夯实,再铺一层2~3cm细沙,在细沙上铺一层镂空砖;
B、向镂空砖的孔内填充基肥,并洒水使基肥沉降至低于镂空砖表面2~3cm;将种子撒于镂空砖孔内的基肥,用手压实,覆盖一层1~1.5 cm细沙;
C、晴天每天早、晚各浇水1次,保持种植土湿润;25天后种子发芽;
D、草坪生长至高8~10cm时进行修剪,留茬高度为3~5cm;施氮磷钾含量均为15%的复合肥50~75g/平米,施肥后浇水,每隔3个月施肥1次。
由于采用了上述技术方案,本发明与现有技术相比具有如下有益效果:
本发明在种植地上依次铺碎石、种植土、细沙和镂空砖,利于镂空砖下方的种植土层吸水保持湿润,向镂空砖的孔内填充基肥,种子撒于基肥,保持种植土和基肥湿润,促进种子发芽;草坪生长至高8~10cm时进行修剪,使其生长整齐,在该草坪上进行休闲活动及停放车辆,草坪不易被踩踏损坏,定期施肥,满足草坪生长所需的养分,绿化环境。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详述:
实施例1
一种草坪种植方法, 包括以下步骤:
A、将种植地的土壤夯实,铺10 cm厚的碎石,在碎石上铺15cm厚的种植土并夯实,再铺一层2cm细沙,在细沙上铺一层镂空砖;
B、向镂空砖的孔内填充基肥,并洒水使基肥沉降至低于镂空砖表面2cm;将种子撒于镂空砖孔内的基肥,用手压实,覆盖一层1 cm细沙;
C、晴天每天早、晚各浇水1次,保持种植土湿润;25天后种子发芽;
D、草坪生长至高8cm时进行修剪,留茬高度为3cm;施氮磷钾含量均为15%的复合肥50g/平米,施肥后浇水,每隔3个月施肥1次。
实施例2
一种草坪种植方法, 包括以下步骤:
A、将种植地的土壤夯实,铺15 cm厚的碎石,在碎石上铺20cm厚的种植土并夯实,再铺一层3cm细沙,在细沙上铺一层镂空砖;
B、向镂空砖的孔内填充基肥,并洒水使基肥沉降至低于镂空砖表面3cm;将种子撒于镂空砖孔内的基肥,用手压实,覆盖一层1.5 cm细沙;
C、晴天每天早、晚各浇水1次,保持种植土湿润;25天后种子发芽;
D、草坪生长至高10cm时进行修剪,留茬高度为5cm;施氮磷钾含量均为15%的复合肥75g/平米,施肥后浇水,每隔3个月施肥1次。
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