[发明专利]高频功率放大电路

说明书

一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极，用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本发明提供的高频功率放大电路减少了失真，且增大了输出功率。

技术领域

本发明涉及一种高频功率放大电路，尤其涉及一种应用于移动电话中的高频 功率放大器。

背景技术

一般地，在调幅制信号中，尤其是在QAM(正交振幅调制)等的多值调制中， 在用于向天线发送功率的发送电路中需要配置的高频功率放大器，为保持信号不 失真，高频功率放大器需要线性地对输入的高频调制信号进行线性放大。因此， 在用作如手机的末级的高频功率放大器，通常工作在甲类或甲乙类状态。但通常 采用单管放大器，输出功率较低，为克服该技术问题，现有技术提供了一种共射 共基放大器，它们共用一个偏置电路，会造成对对输入信号的扭曲。

发明内容

为克服现有技术中存在的缺点，本发明的发明目的是提供一种高频功率放大 电路，可减小对输入信号的扭曲，且能够增大输出功率。

为实现所述发明目的，本发明提供一种高频功率放大电路，其包括高频放大 器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼 流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电 路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电 流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地， 集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基 极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。

优选地，第一偏置电路包括第三晶体管，第三晶体管的集电极连接于第一电 源，发射极依次经第一电阻和高频扼流圈连接于第一晶体管的基极，基极连接于 第一参考电压。

优选地，高频功率放大电路还包括供电电路，所述供电路包括依次串联并联 接于控制电压和地之间的第二电阻、具有PN结的器件和第三电阻，从第二电阻 和PN结相连的节点给第一偏置电路提供参考电压。

优选地，具有PN结的器件由二极管配置而成。

优选地，具有PN结的器件由晶体管配置而成。

与现有技术相比，本发明提供的高频功率放大电路，由于采用了如下配置的 放大器：第一晶体管、第二晶体、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置 电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按 照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电 极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二 电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏 置电流，从而减小了失真(扭曲)，且增大了输出功率。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的高频功率放大器的电路图；

图2是本发明第二实施例提供的高频功率放大器的电路图；

图3是本发明第三实施例提供的高频功率放大器的电路图；

图4是本发明第四实施例提供的高频功率放大器的电路图。

具体实施方式