[发明专利]存储器操作方法及存储器操作装置

说明书

一种存储器操作方法及存储器操作装置。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。

技术领域

本发明涉及一种操作方法及操作装置，且特别是涉及一种存储器操作方法及存储器操作装置。

背景技术

随着存储器技术的发展，各种存储器不断推陈出新。可变电阻式存储器(Resistive Random-Access Memory，ReRAM)及相变化存储器(Phase-Change Memory，PCM)为非易失性存储器(non-volatile random-access memories)。可变电阻式存储器的运作通过改变介电固态材质的电阻来操作。相变化存储器的运作则是通过改变相位(phase)的方式来操作。在可变电阻式存储器及相变化存储器中，存储单元需要良好的写入控制能力来避免过度写入(over-writing)的问题。然而，若采用过多的操作步骤，将会影响到操作速度。

发明内容

本发明有关于一种存储器操作方法及存储器操作装置，其利用执行一第一步进循环(first stepping loop)及一第二步进循环(second stepping loop)的方式，使得操作速度得以加快。

根据本发明的一方面，提出一种存储器操作方法。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器操作装置。存储器操作装置包括一第一控制器、一第二控制器及一处理器。第一控制器用以控制施加于一第一控制线的一第一控制电压。第二控制器用以控制施加于第二控制线的一第二控制电压。处理器用以执行一第一步进循环(first stepping loop)及一第二步进循环(second stepping loop)。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于该第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。

为了对本发明上述及其他方面有更佳的了解，下文特列举实施例，并配合所附图式详细说明如下：

附图说明

图1绘示存储器操作装置的示意图。

图2A～2B绘示根据一实施例的存储器操作方法的流程图。

图3为总枪数的分布图。

图4为根据本实施例的阻抗分布图。

图5A～5B绘示根据另一实施例的存储器操作方法的流程图。

【符号说明】

100：存储器操作装置

110：第一控制器

120：第二控制器

130：处理器

200：存储器

C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7：曲线