[发明专利]MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法

权利要求书

1.MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、对多层单元闪存MLC进行双层LDPC码的编码，包括：

步骤1-1、对多层单元闪存MLC 上页数据进行编码，使用双层LDPC码的下层校验矩阵进行编码，产生上页冗余1，K₁表示下层LDPC码的校验比特长度，N为双层LDPC码的码长；

步骤1-2、对多层单元闪存MLC 上页数据和上页冗余1进行二次编码，使用双层LDPC码的上层校验矩阵进行编码，产生上页冗余2并存放在多层单元闪存MLC 下页中，K₂表示上层LDPC码的校验比特长度；

步骤1-3、对多层单元闪存MLC 下页数据和上页冗余2一起进行编码，使用双层LDPC码的下层校验矩阵的变种形式进行高码率编码，产生下页冗余；

步骤1-4、对多层单元闪存MLC 上、下页产生的码字进行多层单元闪存MLC闪存编程；

步骤2、对步骤1的结果进行双层LDPC码的译码，包括：

步骤2-1、多层单元闪存MLC读取数据前先进行门限电压感测，采用4比特低精度的电压感测；

步骤2-2、根据进行多层单元闪存MLC下页译码，若失败则提高到6比特电压感测精度，再译码；若成功，则在缓存中存储多层单元闪存MLC下页中所包含的多层单元闪存MLC上页冗余2信息；

步骤2-3、根据进行多层单元闪存MLC上页译码，若成功，则译码结束；否则进入步骤2-4；

步骤2-4、判断是否二次读取缓存中的额外冗余：若是则提高电压感测精度，继续译码，直到达到预定精度为止；否则进入步骤2-5；

步骤2-5、读取缓存中多层单元闪存MLC上页冗余2信息，进入步骤2-6；

步骤2-6、进行双层LDPC码译码，若失败返回步骤2-4；否则译码成功。