[发明专利]一种β-氧化镓纳米阵列的制备方法

权利要求书

1.一种β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：

一、利用水浴法制备GaOOH种子层：

（1）配置Ga(NO₃)₃和六亚甲基四胺的混合溶液；

（2）将所用衬底生长面向下放置在装有上述混合溶液的烧杯中，利用水浴法进行GaOOH种子层生长；

（3）自然冷却后取出，经去离子水冲洗，烘干，得到GaOOH种子层；

二、利用水热法制备GaOOH纳米阵列：

（1）配置Ga(NO₃)₃和六亚甲基四胺的混合溶液；

（2）将步骤一得到的带有GaOOH种子层的衬底经去离子水冲洗、烘干后放置在Ga(NO₃)₃和HMT的混合溶液中，利用水热法在种子层上制备GaOOH纳米阵列；

（3）自然降温至室温，将衬底取出，去离子水冲洗，烘干，获得GaOOH纳米阵列；

三、将步骤二得到的GaOOH纳米阵列放入退火炉中退火，然后自然冷却到室温，得到β-氧化镓纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤一中，硝酸镓浓度为0.1~0.6mol/L，六亚甲基四胺浓度为0.5~1mol/L。

3.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤一中，水浴温度为80~98℃，生长时间为5~12小时。

4.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤一中，衬底为石英衬底、硅衬底、透明导电衬底或蓝宝石衬底。

5.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤二中，硝酸镓浓度为0.05~1mol/L，六亚甲基四胺浓度为0.1~0.3mol/L。

6.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤二中，水热温度为120~180℃，水热时间为12~24h。

7.根据权利要求1所述的β-氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述步骤三中，退火温度为750~1000℃，退火时间为4~8h。