[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的不断进步，视觉资讯在人们生活中的地位越来越重要，因此，承载视觉资讯信息的平板显示器件也在人们生活中占据着越来越重要的地位。这些常见的平板显示器件包括液晶显示器件(LCD)，有机电致发光二极管(OLED)等。

OLED基板中通常包括衬底基板、设置在衬底基板上方的平坦层、阳极和像素限定层。在现有OLED基板的制备过程中，通常在平坦层形成之后通过两步工艺制备阳极和像素限定层，而在制备像素限定层时，由于曝光量较大，会导致薄膜晶体管的特性Vth漂移，影响OLED基板的的稳定性；另外，阳极和像素限定层分开制备的工艺会造成产能降低、成本增加等问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免在制备过程薄膜晶体管的特性Vth漂移，以保证基板稳定性，以及降低制备成本、提高产能的OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板的制备方法，包括：

通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。

其中，所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极包括：

在所述衬底的上方依次沉积第一极材料和像素限定层材料；

对像素限定层材料进行不同精度的曝光，形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域；

对曝光后的完全曝光区域和部分曝光区域的像素限定层材料进行显影、刻蚀，去除所述完全曝光区域的像素限定层材料，以暴露出与所述完全曝光区域对应的部分所述第一极材料；

对暴露出的所述第一极材料进行刻蚀，以形成所述第一极；

去除所述部分曝光区域剩余的像素限定层材料，以形成所述像素挡墙。

其中，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之前，还包括：

在所述衬底上依次形成薄膜晶体管的各层结构和平坦化层。

其中，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。

其中，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后，还包括：

在所述衬底的上方且相邻两个所述OLED器件之间形成隔垫物。

其中，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之后，还包括：

形成位于所述第一极之上的发光层和第二极。

其中，所述第一极采用导电的反射材料制成。

作为另一技术方案，本发明还提供一种显示装置的制备方法，包括上述任意一项所述的OLED基板的制备方法的步骤。

作为另一技术方案，本发明还提供一种OLED基板，包括多个OLED器件，每个所述OLED器件包括第一极和位于所述第一极上的像素限定层，所述像素限定层包括多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙和一个所述OLED器件的第一极在衬底上的正投影所限定的区域完全重合。

作为另一技术方案，本发明还提供一种显示装置，包括上述的OLED基板。

本发明的OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法中，该OLED基板的制备方法包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形，也就是说，第一极和像素限定层可以采用一次构图工艺制备，同时，像素限定层可以作为第一极的刻蚀保护层(即相当于光刻胶)，既可以减少一次构图工艺，还可以减少光刻胶的使用，从而大幅度降低成本、提高OLED基板的产能；另外，第一极和像素限定层通过一次构图工艺制备，能够完全避免第一极和像素限定层分开制备时所产生的图案偏差，从而提高OLED基板的开口率；而且，在进行构图工艺时，由于第一极的存在能够反射光线，因此，能够有效的保护紫外光对位于第一极下方的薄膜晶体管的特性的影响，从而保证了OLED基板的稳定性。

附图说明