[发明专利]掩膜板及其制作方法

说明书

本申请公开了一种掩膜板制作方法，包括：提供基板；在基板上形成导电的过渡层；在过渡层上形成绝缘的掩膜板定义层，掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出过渡层；以所述掩膜板定义层为掩膜，以掩膜板定义层上的多个开口暴露出的过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的开口内形成电铸膜；去除所述掩膜板定义层，保留电铸膜；采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；其中，电铸膜与过渡层之间的附着力，小于过渡层与基板之间的附着力，以及小于电铸膜与基板之间的附着力。本发明相较于现有技术，在将电铸膜剥离过渡层的过程中，减小了对电铸膜的损伤，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。

技术领域

本申请涉及掩膜板技术领域，更具体地说，涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

掩膜板是半导体芯片、微机电产品、显示面板等制造过程中经常使用的工具之一，其可结合光刻、蒸镀、溅射等工艺，以形成半导体结构。一般情况下，掩膜板是在金属薄板的特定位置上制作出工艺所需的开口，之后再进行光刻、刻蚀、蒸镀、溅射等工艺，在半导体膜层上形成特定图案。

随着半导体技术的发展，工艺尺寸越来越小，掩膜板的精度也越来越高，其厚度也越来越薄。这种高精度掩膜板的常用制备方法有电铸法。电铸法制备掩膜板的过程包括：提供基板；在基板上涂覆贴膜；对贴膜进行曝光；去除部分贴膜，形成开口；在开口处采用电铸工艺，得到电铸层；将电铸层从基体上剥离，得到掩膜板。

现有技术中，通常采用机械剥离的方式，将电铸层从基体上剥离。但是，发明人发现，采用现有技术制得的掩膜板，时常会有损坏，即掩膜板的良率较低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种掩膜板制作方法，相较于现有技术，在一定程度上提高了掩膜板的良率。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种掩膜板制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成过渡层，所述过渡层的材料为导电材料；

在所述过渡层上形成掩膜板定义层，所述掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出所述过渡层，且所述掩膜板定义层的材料为绝缘材料；

以所述掩膜板定义层为掩膜，以所述掩膜板定义层上的多个开口暴露出的所述过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的所述开口内形成电铸膜；

去除所述掩膜板定义层，保留所述电铸膜；

采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；

其中，所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述过渡层与所述基板之间的附着力，且所述电铸膜与所述过渡层之间的附着力，小于所述电铸膜与所述基板之间的附着力。

优选的，所述基板的材料为导电材料。

优选的，所述基板的材料的布氏硬度大于100HV。

优选的，所述基板的材料为金属。

优选的，所述基板的材料为不锈钢。

优选的，所述过渡层的材料为软金属、石墨烯、导电聚合物、或透明金属氧化物。

优选的，所述软金属为布氏硬度在20HV-58HV以内的金属。

优选的，所述软金属为金、银、锡、铅、镁、或铟。

优选的，所述导电聚合物为含有共轭π键的高分子聚合物。

优选的，所述导电聚合物为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、或聚双炔。