[发明专利]基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机

权利要求书

1.一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体(1)和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体(1)包括位于内侧的Si壳体(11)和位于Si壳体(11)外侧的金属镀层(12)；将所述Si基镀金盒体(1)分成上下两部分进行制作后，将所述上下两部分进行粘合；

所述发射机电路包括Ka波段功率放大器(2)、三次倍频电路(3)、W波段功率放大器(4)和末级220GHz二次倍频电路(5)，所述Ka波段功率放大器(2)的输入端接Ka波段信号源，所述Ka波段功率放大器(2)的信号输出端与所述三次倍频电路(3)的信号输入端连接，所述Ka波段信号源用于产生Ka波段信号，所述Ka波段功率放大器(2)用于对Ka波段信号源输出的信号进行功率放大；所述三次倍频电路(3)的输出端与所述W波段功率放大器(4)的信号输入端连接，所述三次倍频电路(3)用于对Ka波段功率放大器(2)输出的信号进行三次倍频处理；所述W波段功率放大器(4)的信号输出端与所述末级220GHz二次倍频电路(5)的信号输入端连接，所述W波段功率放大器(4)用于对三次倍频电路(3)输出的信号进行功率放大，所述二次倍频电路用于对W波段功率放大器(4)输出的信号进行二次倍频处理。

2.如权利要求1所述的基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：所述发射机电路包括Ka波段功率放大器(2)、二次倍频电路、W波段功率放大器(4)和末级220GHz三次倍频电路，所述Ka波段功率放大器(2)的输入端接Ka波段信号源，所述Ka波段功率放大器(2)的信号输出端与所述二次倍频电路的信号输入端连接，所述Ka波段信号源用于产生Ka波段信号，所述Ka波段功率放大器(2)用于对Ka波段信号源输出的信号进行功率放大；所述二次倍频电路的输出端与所述W波段功率放大器(4)的信号输入端连接，所述二次倍频电路用于对Ka波段功率放大器输出的信号进行二次倍频处理；所述W波段功率放大器(4)的信号输出端与所述末级220GHz三次倍频电路的信号输入端连接，所述W波段功率放大器用于对二次倍频电路输出的信号进行功率放大，所述三次倍频电路用于对W波段功率放大器输出的信号进行三次倍频处理。

3.如权利要求1或2所述的基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：所述发射机电路还包括表面平面天线(6)，所述末级220GHz二次倍频电路(5)或末级220GHz三次倍频电路的信号输出端与所述表面平面天线(6)的信号输入端连接，所述表面平面天线用于向空间中发射220GHz太赫兹信号。

4.如权利要求1或2所述的基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：所述Ka波段信号源与Ka波段功率放大器之间通过K头连接。

5.如权利要求1或2所述的基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：所述三次倍频电路采用4管芯反向串联倍频肖特基二极管，其中每两个管芯分为一组形成一个管芯串，每个管芯串中的两个管芯串联连接，两个管芯串之间并联连接。