[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效

申请号：	201710368871.2	申请日：	2017-05-23
公开（公告）号：	CN107393800B	公开（公告）日：	2019-03-08
发明（设计）人：	竹田刚	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/02
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	陈伟;刘伟志
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法衬底处理装置
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【说明书】：

提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制等离子体带来的影响。具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；气体供给部，其经由缓冲室向衬底供给气体；电极，其设于缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其设于电极的下游，具有与气体流路相邻的第1孔；分散部，其设于绝缘部的下游，具有多个第2孔，该第2孔与第1孔相邻并且与气体流路连通，并具有等离子体生成区域；电力供给部，其与电极连接；以及控制部，其控制气体供给部和电力供给部，以对绝缘部的下游侧、且等离子体生成区域供给电力，并在等离子体生成区域生成气体的等离子体。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

随着以大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit：以下记作LSI)、DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等为代表的半导体器件的高集成化，电路图案和在制造过程中形成的结构物的微细化不断推进。在半导体器件的制造工序中，作为实现微细化的处理，进行使用了等离子体的处理。例如，具有专利文献1所记载的技术。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-092533

发明内容

在等离子体处理中，存在于等离子体中的离子有时会对形成于衬底的膜、结构物带来影响。

因此，在本发明中，以能够抑制等离子体带来的影响为目的。

根据一个方式，提供一种技术，具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；气体供给部，其经由缓冲室向衬底供给气体；电极，其设于缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其设于电极的下游，具有与气体流路相邻的第1孔；分散部，其设于绝缘部的下游，具有多个第2孔，该第2孔与第1孔相邻并且与气体流路连通，并具有等离子体生成区域；电力供给部，其与电极连接；以及控制部，其控制气体供给部和电力供给部，以对绝缘部的下游侧、且等离子体生成区域供给电力，并在等离子体生成区域生成气体的等离子体。

发明效果

根据本发明的技术，能够抑制等离子体带来的影响。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的衬底处理装置的概略结构图。

图2是本发明的一个实施方式的电极部件的概略结构图。

图3是本发明的一个实施方式的电极部件的概略结构图。

图4是本发明的其他实施方式的衬底处理装置的概略结构图。

图5是本发明的一个实施方式的气体供给系统的概略结构图。

图6是本发明的一个实施方式的衬底处理装置的控制器的概略结构图。

图7是表示本发明的一个实施方式的衬底处理工序的流程图。

图8是本发明的一个实施方式的衬底处理工序的时序例。

图9是本发明的一个实施方式的等离子体生成量的反馈控制的框线图。