[发明专利]具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟槽栅极结构，从第一表面延伸进入由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中，并且将所述半导体本体的台面部分彼此分离；

在所述台面部分中的本体区域，其中所述本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁；

二极管区域，位于所述本体区域和所述沟槽栅极结构之间并且直接邻接第二台面侧壁，其中所述二极管区域中的平均净掺杂剂浓度比所述本体区域中的平均净掺杂剂浓度高；以及

在所述台面部分中的源极区域，所述源极区域与所述本体区域形成第二pn结，所述本体区域将所述源极区域与所述漏极结构分离，

其中所述源极区域直接地邻接所述第一台面侧壁以及与所述第一台面侧壁相对的所述第二台面侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述源极区域包括直接地邻接所述第一台面侧壁的第一区段以及直接地邻接所述第二台面侧壁的一个或多个第二区段。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述一个或多个第二区段沿着所述台面部分的纵向轴线彼此分离。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述一个或多个第二区段包括沿着所述台面部分的整个纵向轴线延伸的连续结构。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述源极区域进一步包括夹设在所述第一区段和所述第二区段之间并且与其直接地邻接的连接区段，其中所述连接区段沿着所述台面部分的纵向轴线彼此分离。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述连接区段沿着所述台面部分的纵向轴线通过所述本体区域的导电类型的分离区域彼此分离。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述源极区域具有梯状形状，所述梯状形状具有轨架和横档，其中所述第一区段和所述第二区段形成所述轨架，以及所述连接区段形成所述横档。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述连接区段沿着所述台面部分的纵向轴线的第一水平延伸部小于沿着所述台面部分的纵向轴线的相邻连接区段之间的距离。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述连接区段沿着所述台面部分的纵向轴线的第一水平延伸部至少是200nm并且至多是5μm。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述一个或多个第二区段的、正交于所述第一表面的垂直延伸部等于所述第一区段正交于所述第一表面的垂直延伸部。

11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述一个或多个第二区段的、正交于所述第一表面的垂直延伸部大于所述第一区段正交于所述第一表面的垂直延伸部。

12.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述一个或多个第二区段的、正交于所述第一表面的垂直延伸部至少是200nm并且至多是1μm。

13.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述连接区段沿着所述台面部分的纵向轴线通过所述二极管区域的表面区段彼此分离，所述二极管区域从所述第一表面延伸至所述半导体本体中并且与所述漏极结构形成二极管结，其中所述二极管区域的垂直延伸部大于所述沟槽栅极结构的垂直延伸部。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

沟槽源极结构，从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述沟槽源极结构包括电连接至第一负载电极的沟槽源极电极。