[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，鳍结构位于所述衬底上方，所述鳍结构具有相对设置的第一侧面和第二侧面、以及从所述第一侧面延伸至所述第二侧面的顶面；

第一导电部件和另一第一导电部件，所述第一导电部件是源极/漏极部件，所述源极/漏极部件位于所述鳍结构的顶面上并与所述鳍结构的所述顶面接触；

蚀刻停止层，位于所述衬底、所述源极/漏极部件和所述另一第一导电部件上方，其中，所述蚀刻停止层包括：

含硅介电(SCD)层，位于所述源极/漏极部件上并且物理接触所述源极/漏极部件的侧壁、所述鳍结构的所述第一侧面和所述鳍结构的所述第二侧面和所述另一第一导电部件的侧壁，和

位于所述含硅介电层上方的含金属介电(MCD)层；

介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及

第二导电部件和另一第二导电部件，位于所述介电层中，其中，所述第二导电部件和所述另一第二导电部件穿透同一所述含硅介电层和同一所述含金属介电层、并且分别电连接至所述源极/漏极部件和所述另一第一导电部件，所述第二导电部件和所述另一第二导电部件的高宽比不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层还包括位于所述含金属介电层上方的另一含硅介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硅介电层包括硅与氧、碳和氮中的一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含金属介电层包括金属材料的氧化物或所述金属材料的氮化物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述金属材料包括铝、钽、钛或铪。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硅介电层具有从5埃至的范围的厚度并且所述含金属介电层具有从至的范围的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述另一第一导电部件是栅极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含金属介电层从所述源极/漏极部件的顶面上方延伸至所述第一导电部件的顶面上方。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述介电层包括低k介电材料，并且所述第一导电部件和所述第二导电部件的每个都包括铜。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

沟槽，位于另一介电层中，其中，所述蚀刻停止层的部分设置在所述沟槽的底部和侧壁上；以及

气隙，其中，所述蚀刻停止层的部分用作所述气隙的底部和侧壁。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一低k介电层，位于所述衬底上方；

第一导电部件和另一第一导电部件，位于所述第一低k介电层中；

蚀刻停止层，位于所述第一低k介电层上方，其中，所述蚀刻停止层包括含硅介电(SCD)层和位于所述含硅介电层上方的含金属介电(MCD)层，其中，所述含金属介电层包括金属材料的氧化物或所述金属材料的氮化物；

第二低k介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及

第二导电部件和另一第二导电部件，部分地位于所述第二低k介电层中，其中，所述含硅介电层和所述含金属介电层中的每个围绕所述第二导电部件的侧壁和所述另一第二导电部件的侧壁、并且从所述第二导电部件连续地延伸至所述另一第二导电部件，所述第二导电部件和所述另一第二导电部件穿透同一所述含硅介电层和同一所述含金属介电层、并且分别电连接至所述第一导电部件和所述另一第一导电部件，所述第二导电部件和所述另一第二导电部件的高宽比不同。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述含硅介电层包括硅与氧、碳和氮中的一种。