[发明专利]串联(IN-LINE)器件电性能测算方法及其测试结构

权利要求书

1.一种用于测算半导体器件的至少一种电性能的方法，所述方法包括：

在衬底上形成所述半导体器件和多个测试单元，其中，至少部分同时并且使用至少部分相同的配置形成所述半导体器件和所述多个测试单元，所述多个测试单元包括第一测试单元和第二测试单元；

使用至少一种电子束辐照所述多个测试单元；

测算通过所述电子束从所述多个测试单元诱导的电子；以及

根据从所述多个测试单元测算的所述电子的密度测算所述半导体器件的所述电性能，

在所述第一测试单元的第一测试有源区上形成第一测试栅极区，以及在所述第二测试单元的第二测试有源区上形成第二测试栅极区，

其中，所述第一测试栅极区形成为使得所述第一测试栅极区包括与所述第一测试有源区交叉的主体部分和连接至所述主体部分的焊盘部分，所述第二测试栅极区形成为使得所述第二测试栅极区包括与所述第二测试有源区交叉的主体部分和连接至所述第二测试栅极区的主体部分的焊盘部分，其中，所述第一测试栅极区的主体部分和所述第二测试栅极区的主体部分的面积相同，并且所述第一测试栅极区的焊盘部分和所述第二测试栅极区的焊盘部分的面积不同，

与所述第一测试栅极区的主体部分重叠的所述第一测试有源区的面积等于与所述第二测试栅极区的主体部分重叠的所述第二测试有源区的面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件和所述多个测试单元是N型器件，并且所述辐照诱导正电荷在所述多个测试单元的表面上的累积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件和所述多个测试单元是P型器件，并且所述辐照诱导负电荷在所述多个测试单元的表面上的累积。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将测算的所述电子转换为灰度图像。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

识别与所述灰度图像中有关的区域，有关的所述区域对应于所述第一测试单元的所述第一测试有源区或所述第二测试单元的所述第二测试有源区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，根据与所述灰度图像有关的所述区域的密度确定所述半导体器件的所述电性能。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件和所述多个测试单元是晶体管，所述形成在所述衬底上形成具有不同栅极尺寸的所述多个测试单元，并且所述辐照开通所述多个测试单元的至少一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件和所述多个测试单元是晶体管，所述形成在所述衬底上形成具有不同漏极尺寸的所述多个测试单元，并且所述辐照开通所述多个测试单元的至少一个。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件和所述多个测试单元是晶体管，所述形成在所述衬底上形成具有不同沟道长度的所述多个测试单元，并且所述辐照开通所述多个测试单元的至少一个。