[发明专利]微机械的传感器和用于制造微机械的传感器的方法有效
申请号: | 201710369579.2 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107422146B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | B.P.赫措根拉特;J.克拉森 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 梁冰;宣力伟 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 传感器 用于 制造 方法 | ||
1.一种微机械的传感器(100),其中,表面微机械地能够制造所述微机械的传感器(100),该传感器具有至少一个构造在第三功能层(60)中的质量元件,该质量元件至少以区段的方式未被穿孔地构造;其中,在所述质量元件下方通过去除第二功能层(30)和至少一个氧化层(20)能够制造缝隙(S);其中,所述至少一个氧化层(20)的去除借助于把气态的蚀刻介质引入到经限定数量的基本上彼此平行布置的蚀刻通道中来进行;其中,所述蚀刻通道与在所述第三功能层(60)中的竖直的进入通道能够连接。
2.按照权利要求1所述的微机械的传感器(100),其特征在于,所述缝隙(S)两倍至十倍大于在所述第三功能层(60)的能够运动的区段和位于其下的层之间的缝隙。
3.按照权利要求1所述的微机械的传感器(100),其特征在于,所述缝隙(S)三倍至六倍地大于在所述第三功能层(60)的能够运动的区段和位于其下的层之间的缝隙。
4.按照权利要求2或3所述的微机械的传感器(100),其特征在于,在所述第三功能层(60)的未被穿孔的区域和所述位于其下的层之间的缝隙(S)计为5μm至8μm。
5.按照权利要求2或3所述的微机械的传感器(100),其特征在于,在所述第三功能层(60)的未被穿孔的区域和所述位于其下的层之间的缝隙(S)计为7μm。
6.按权利要求1至3中任一项所述的微机械的传感器(100),其特征在于,在所述第三功能层(60)的质量元件中,构造了经限定数量的经限定地构造的通孔(61)。
7.按权利要求1至3中任一项所述的微机械的传感器(100),其特征在于,在所述第三功能层(60)的未被穿孔的区域的下方,在第一功能层(10)中构造导体电路平面。
8.按前述权利要求中1至3中任一项所述的微机械的传感器(100),其特征在于,在所述第三功能层(60)的未被穿孔的区域的下方,构造了基体(1)。
9.一种用于表面微机械地制造根据权利要求1至8中任一项所述的微机械的传感器(200)的方法,具有步骤:
-以分层的方式构造第一功能层(10)、第二功能层(30)和第三功能层(60),其中,在功能层(10、30、60)之间构造了各一个氧化层;
-经限定地去除所述第二功能层(30),并且在所述第二功能层(30)的区域中构造经限定数量的侧向的经氧化的蚀刻通道;
-把竖直的进入通道构造到所述侧向的蚀刻通道中;并且
-通过把气态的蚀刻介质引入到所述侧向的蚀刻通道中,经限定地去除所述氧化层。
10.按照权利要求9所述的方法,其中,在所述第三功能层(60)和位于其下的层之间的缝隙(S)构造在2μm至8μm的数量级中。
11.按照权利要求9所述的方法,其中,在所述第三功能层(60)和位于其下的层之间的缝隙(S)构造在3μm至6μm的数量级中。
12.按照权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,在所述第三功能层(60)的下方构造了在第一功能层(10)中的电的导体电路。
13.按照权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,多个侧向的蚀刻通道基本上平行地彼此并列地构造。
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