[发明专利]一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置有效
| 申请号： | 201710369602.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106995935B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 娄中士;刘铮;王遵义;郝大维;刘琨;王彦君;李立伟 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李纳 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 区熔硅单晶 径向 电阻率 分布 掺杂 装置 | ||
1.一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：包括主环形管(1)及嵌套在所述主环形管(1)管腔内的掺杂气环形管(2)；所述主环形管(1)及所述掺杂气环形管(2)分别设有相互独立的进气口(3)；所述主环形管(1)上沿周向开设有若干个主出气孔(4)，所述掺杂气环形管(2)上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔(5)，所述主出气孔(4)与所述掺杂气出气孔(5)交错排布。
2.根据权利要求1所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述主环形管(1)和所述掺杂气环形管(2)均为开环结构，开口处的一端开放作为进气口，另一端封闭。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述主出气孔(4)在所述主环形管(1)上端面等间距均匀分布。
4.根据权利要求1或2所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述主出气孔(4)在所述主环形管(1)内圆面等间距均匀分布。
5.根据权利要求1或2所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述掺杂气出气孔(5)在所述掺杂气环形管(2)上端面、内圆面、下端面或外圆面等间距均匀分布。
6.根据权利要求1或2所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述主出气孔(4)的孔径大于所述掺杂气出气孔(5)的孔径。
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