[发明专利]硫化锡-硫化铈-氧化铈三元异质结、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201710369674.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107224984B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 何军;程中州 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;C01B3/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化 氧化 三元 异质结 制备 方法 用途 | ||
1.一种SnS2-Ce2S3-CeO2三元异质结，其特征在于，所述三元异质结包括SnS2层、Ce2S3层和CeO2层；
所述三元异质结包括由内到外的SnS2层、Ce2S3层和CeO2层；
所述SnS2层是由SnS2纳米片与SnS2纳米片联络形成的网状结构层或纳米墙结构；所述Ce2S3层由Ce2S3纳米带构成；所述CeO2层由CeO2纳米颗粒构成；
所述Ce2S3纳米带与CeO2纳米颗粒的摩尔比为0.5～3:1。
2.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述SnS2纳米片的厚度为5～30nm。
3.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述Ce2S3纳米带的宽度为5～30nm，所述Ce2S3纳米带的长度为100～1000nm。
4.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述CeO2纳米颗粒的粒径为2～10nm。
5.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述Ce2S3纳米带与CeO2纳米颗粒的摩尔比为0.9～2.4:1。
6.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述SnS2纳米片垂直生长于基底上。
7.根据权利要求6所述的三元异质结，其特征在于，所述基底为ITO玻璃、FTO玻璃、碳布的任意一种或至少两种的组合。
8.根据权利要求7所述的三元异质结，其特征在于，所述基底为碳布。
9.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述SnS2层的高度为500～1000nm。
10.根据权利要求9所述的三元异质结，其特征在于，所述SnS2层的高度为500nm。
11.根据权利要求1所述的三元异质结，其特征在于，所述Ce2S3纳米带生长于所述SnS2纳米片上，构成SnS2-Ce2S3纳米结构。
12.根据权利要求11所述的三元异质结，其特征在于，所述Ce2S3纳米带贴附于SnS2纳米片上。
13.根据权利要求11所述的三元异质结，其特征在于，所述CeO2纳米颗粒生长于SnS2-Ce2S3纳米结构上，构成三元异质结。
14.根据权利要求13所述的三元异质结，其特征在于，所述CeO2纳米颗粒覆盖在SnS2-Ce2S3纳米结构上。
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